低聚硅烷的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780034377.0
申请日
2017-06-06
公开(公告)号
CN109219576B
公开(公告)日
2019-01-15
发明(设计)人
埜村清志 内田博 石原吉满 中岛裕美子 岛田茂 佐藤一彦
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C01B3304
IPC分类号
B01J2948 B01J2946
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
李照明;段承恩
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
低聚硅烷的制造方法和低聚硅烷的制造装置 [P]. 
埜村清志 ;
内田博 .
中国专利 :CN109923067A ,2019-06-21
[2]
低聚硅烷的制造方法 [P]. 
埜村清志 ;
内田博 .
中国专利 :CN109803921B ,2019-05-24
[3]
低聚硅烷的制造方法 [P]. 
埜村清志 ;
内田博 ;
石原吉满 ;
岛田茂 ;
佐藤一彦 ;
五十岚正安 .
中国专利 :CN107531491A ,2018-01-02
[4]
低聚硅烷的制造方法 [P]. 
石原吉满 ;
滨田秀昭 ;
岛田茂 ;
佐藤一彦 ;
五十岚正安 ;
内田博 .
中国专利 :CN106573786A ,2017-04-19
[5]
聚硅烷的制造方法 [P]. 
下田达也 ;
川尻陵 ;
矶边清 ;
中井英隆 ;
松木安生 .
中国专利 :CN102089358A ,2011-06-08
[6]
聚硅烷类的制造方法 [P]. 
西田亮一 ;
川崎真一 ;
村瀬裕明 .
中国专利 :CN1240459A ,2000-01-05
[7]
有机聚硅烷的制造方法 [P]. 
久新荘一郎 ;
林谦一 .
中国专利 :CN108884228B ,2018-11-23
[8]
聚硅烷及其制造方法 [P]. 
西田亮一 ;
村濑裕明 .
中国专利 :CN1098880C ,2000-01-26
[9]
环状聚硅烷化合物的制造方法 [P]. 
内藤良太 ;
远宫拓 .
中国专利 :CN111712505A ,2020-09-25
[10]
高纯度氯代聚硅烷的制造方法 [P]. 
石川幸二 ;
高岛兼正 ;
田口裕务 .
中国专利 :CN103998375A ,2014-08-20