提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410092505.5

申请日：

2014-03-13

公开(公告)号：

CN103887385B

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

姬小利闫建昌郭金霞张连杨富华段瑞飞王军喜曾一平王国宏李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583884525 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2014100925055 申请日:20140313
2016-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法 [P].

郭丽彬 ;

牛勇 ;

李刚 ;

刘仁锁 .

中国专利 :CN103325896A ,2013-09-25

[2]

一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

赵广洲 ;

许并社 .

中国专利 :CN105742416A ,2016-07-06

[3]

一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

周小润 ;

许并社 .

中国专利 :CN105720159B ,2016-06-29

[4]

一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

许并社 .

中国专利 :CN105552182A ,2016-05-04

[5]

高发光效率的有机发光器件 [P].

金海源 .

中国专利 :CN1586095A ,2005-02-23

[6]

利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件 [P].

杨薇 ;

胡晓东 ;

若比邻 ;

李磊 .

中国专利 :CN102544285B ,2012-07-04

[7]

一种高发光效率的硅基发光器件 [P].

陈艳军 .

中国专利 :CN113437190B ,2024-12-03

[8]

一种高发光效率的硅基发光器件 [P].

陈艳军 .

中国专利 :CN215988810U ,2022-03-08

[9]

一种高发光效率的硅基发光器件 [P].

陈艳军 .

中国专利 :CN113437190A ,2021-09-24

[10]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

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