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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202011487893.9
申请日：
2020-12-16
公开(公告)号：
CN114639716A
公开(公告)日：
2022-06-17
发明(设计)人：
郑二虎 叶逸舟 张高颖
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L23544 H01L27088 H01L218234
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201216
2022-06-17 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
宋以斌 ;
王彦 ;
张海洋 .
中国专利 :CN111834214B ,2024-04-19
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
韩秋华 ;
王梓 .
中国专利 :CN111435651A ,2020-07-21
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
时贺光 ;
郝静安 .
中国专利 :CN113097064B ,2021-07-09
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
金吉松 .
中国专利 :CN111524855A ,2020-08-11
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113327850B ,2024-11-22
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
郑二虎 .
中国专利 :CN113675141B ,2024-01-26
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN112951724B ,2024-08-23
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113327850A ,2021-08-31
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
钟怡 ;
董天化 .
中国专利 :CN116056457B ,2025-09-26
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
邓武锋 .
中国专利 :CN109560046B ,2019-04-02
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