制造半导体发光器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010121518.2

申请日：

2010-02-20

公开(公告)号：

CN101807655B

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

郑畴溶

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3362

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	公开	公开
2021-09-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/48 登记生效日:20210825 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州太仓市常胜北路168号
2013-12-18	授权	授权
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006685276 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:2010101215182 申请日:20100220

共 50 条

[1]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[2]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[3]

半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法 [P].

郑太逸 ;

金英采 ;

金善万 ;

韩睿志 ;

朴清勋 ;

崔炳均 ;

姜世恩 .

中国专利 :CN102956786A ,2013-03-06

[4]

半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P].

尹浩相 ;

沈相均 .

中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30

[5]

半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法 [P].

北林弘之 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN101981712A ,2011-02-23

[6]

制造半导体发光器件的方法 [P].

崔承奎 ;

郭雨澈 ;

金材宪 ;

郑廷桓 ;

张三硕 .

中国专利 :CN104518062B ,2015-04-15

[7]

制造半导体发光器件的方法 [P].

金起范 ;

许元九 ;

崔丞佑 ;

李承宰 ;

李时赫 ;

金台勋 .

中国专利 :CN102903814A ,2013-01-30

[8]

制造半导体发光器件的方法 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103975451B ,2014-08-06

[9]

制造半导体发光器件的方法 [P].

孙秀亨 ;

金敬镇 ;

曹元根 ;

高恩美 ;

黄亨善 .

中国专利 :CN102412348A ,2012-04-11

[10]

制造半导体发光器件的方法 [P].

韩尚宪 ;

李东律 ;

金承贤 ;

金长美 ;

尹晳胡 ;

李尚准 .

中国专利 :CN105489715B ,2016-04-13

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