全MOS基准电流产生电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811366488.4

申请日：

2018-11-16

公开(公告)号：

CN109164867A

公开(公告)日：

2019-01-08

发明(设计)人：

李振荣段艺明王泽渊刘博宇周永升庄奕琪

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;张问芬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	授权	授权
2019-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20181116
2019-01-08	公开	公开

共 50 条

[1]

偏压电流产生电路 [P].

何俊达 ;

郭骏逸 ;

闵绍恩 .

中国专利 :CN113342100A ,2021-09-03

[2]

基准电流产生电路以及基准电压产生电路 [P].

杉浦正一 .

中国专利 :CN103163934B ,2013-06-19

[3]

阈值基准电流产生电路 [P].

袁志勇 .

中国专利 :CN109062306A ,2018-12-21

[4]

低温漂移基准电压和基准电流产生电路 [P].

姚素英 ;

付园园 ;

徐江涛 ;

高静 ;

史再峰 ;

聂凯明 .

中国专利 :CN102681587A ,2012-09-19

[5]

基准电流产生电路 [P].

闫俊驰 ;

张宁 ;

单一钟 ;

张轩 .

中国专利 :CN104503527A ,2015-04-08

[6]

基准电流产生电路 [P].

李在蓥 ;

李东宰 .

中国专利 :CN1065532A ,1992-10-21

[7]

参考电压与参考电流产生电路 [P].

张淙豪 ;

林永洲 .

中国专利 :CN102419609B ,2012-04-18

[8]

电流产生电路 [P].

黄汉翔 .

中国专利 :CN112904923A ,2021-06-04

[9]

电流产生电路 [P].

马英庭 ;

王俊棋 .

中国专利 :CN110764565A ,2020-02-07

[10]

零温度系数电流产生电路系统 [P].

马亮 .

中国专利 :CN120848678A ,2025-10-28

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