屏蔽栅极场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821355188.1

申请日：

2018-08-22

公开(公告)号：

CN208767305U

公开(公告)日：

2019-04-19

发明(设计)人：

P·A·布尔克 D·E·普罗布斯特 S·J·霍赛

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

章蕾

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-19	授权	授权
2022-07-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180822 授权公告日:20190419 终止日期:20210822

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN209071275U ,2019-07-05

[2]

一种屏蔽栅极场效应晶体管 [P].

张泽华 .

中国专利 :CN216213386U ,2022-04-05

[3]

多屏蔽沟槽栅极场效应晶体管 [P].

H·卡瓦哈勒 ;

S·斯瑞达 ;

C·B·科措 ;

S·J·莫洛伊 ;

H·杨 .

中国专利 :CN107710418A ,2018-02-16

[4]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[5]

双栅极场效应晶体管 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101894864B ,2010-11-24

[6]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[7]

环绕栅极场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

马克·C·黑基 ;

戴维·V·霍勒克 ;

查尔斯·W·科伯格第三 ;

彼得·H·米切尔 .

中国专利 :CN100568465C ,2005-06-15

[8]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

[9]

栅极环绕场效应晶体管 [P].

白文琦 ;

李昆鸿 ;

王世铭 ;

黄志森 ;

胡展源 .

中国专利 :CN110491946A ,2019-11-22

[10]

绝缘栅极场效应晶体管 [P].

J·R·卡特 .

中国专利 :CN1989623A ,2007-06-27

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