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有机金属配合物衍生物及使用该有机金属配合物衍生物的有机发光器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200880020007.2
申请日
:
2008-06-12
公开(公告)号
:
CN101679459A
公开(公告)日
:
2010-03-24
发明(设计)人
:
李大雄
裴在顺
金公谦
李载澈
南玄
金性昭
申请人
:
申请人地址
:
韩国首尔
IPC主分类号
:
C07F506
IPC分类号
:
代理机构
:
北京金信立方知识产权代理有限公司
代理人
:
刘 晔;朱 梅
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-04-01
授权
授权
2010-05-05
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001461824 IPC(主分类):C07F 5/06 专利申请号:2008800200072 申请日:20080612
2010-03-24
公开
公开
共 50 条
[1]
有机金属配合物,包含该有机金属配合物的组合物和发光元件
[P].
井上英子
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井上英子
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下垣智子
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下垣智子
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濑尾哲史
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濑尾哲史
.
中国专利
:CN105669765A
,2016-06-15
[2]
有机金属配合物、发光器件
[P].
山口知也
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山口知也
;
吉住英子
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株式会社半导体能源研究所
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吉住英子
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吉安唯
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株式会社半导体能源研究所
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吉安唯
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高畑正利
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高畑正利
;
村上弘树
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
村上弘树
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大泽信晴
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
大泽信晴
;
木户裕允
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
木户裕允
.
日本专利
:CN117801021A
,2024-04-02
[3]
有机金属配合物,包含该有机金属配合物的组合物和发光元件
[P].
井上英子
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井上英子
;
下垣智子
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下垣智子
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濑尾哲史
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濑尾哲史
.
中国专利
:CN103319540A
,2013-09-25
[4]
有机金属配合物,包含该有机金属配合物的组合物和发光元件
[P].
井上英子
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井上英子
;
下垣智子
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下垣智子
;
濑尾哲史
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濑尾哲史
.
中国专利
:CN101679467B
,2010-03-24
[5]
有机金属配合物、发光器件
[P].
山口知也
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山口知也
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吉住英子
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
吉住英子
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吉安唯
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株式会社半导体能源研究所
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吉安唯
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高畑正利
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株式会社半导体能源研究所
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高畑正利
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村上弘树
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株式会社半导体能源研究所
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村上弘树
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株式会社半导体能源研究所
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瀬尾哲史
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
瀬尾哲史
.
日本专利
:CN117917422A
,2024-04-23
[6]
有机金属配合物、发光器件
[P].
鸟巢桂都
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
鸟巢桂都
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吉安唯
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株式会社半导体能源研究所
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吉安唯
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木户裕允
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株式会社半导体能源研究所
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木户裕允
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大泽信晴
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株式会社半导体能源研究所
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大泽信晴
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吉住英子
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
吉住英子
.
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:CN120424131A
,2025-08-05
[7]
有机金属配合物、发光器件
[P].
山口知也
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株式会社半导体能源研究所
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山口知也
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株式会社半导体能源研究所
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吉住英子
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株式会社半导体能源研究所
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村上弘树
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株式会社半导体能源研究所
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村上弘树
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木户裕允
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瀬尾哲史
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株式会社半导体能源研究所
瀬尾哲史
.
日本专利
:CN117946176A
,2024-04-30
[8]
有机金属配合物、发光器件
[P].
山口知也
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株式会社半导体能源研究所
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山口知也
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久保田朋广
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株式会社半导体能源研究所
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久保田朋广
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吉安唯
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株式会社半导体能源研究所
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吉安唯
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吉住英子
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吉住英子
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大泽信晴
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株式会社半导体能源研究所
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大泽信晴
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木户裕允
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株式会社半导体能源研究所
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木户裕允
;
濑尾哲史
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
濑尾哲史
.
日本专利
:CN120020140A
,2025-05-20
[9]
有机金属配合物及发光器件
[P].
村上弘树
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
村上弘树
;
吉住英子
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
吉住英子
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山口知也
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山口知也
;
大泽信晴
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
大泽信晴
;
木户裕允
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
木户裕允
.
日本专利
:CN118994251A
,2024-11-22
[10]
咔唑衍生物以及使用该衍生物的有机发光器件
[P].
金公谦
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金公谦
;
张俊起
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张俊起
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中国专利
:CN101023148A
,2007-08-22
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