一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极

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专利类型
发明
申请号
CN201710322187.0
申请日
2017-05-09
公开(公告)号
CN108728808A
公开(公告)日
2018-11-02
发明(设计)人
李伟 张奇龙
申请人
申请人地址
310000 浙江省杭州市西湖区文三路20号1号楼11层1106室
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN206736351U ,2017-12-12
[2]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P]. 
王志刚 ;
张奇龙 ;
王连之 ;
李伟 .
中国专利 :CN209974874U ,2020-01-21
[3]
一种高靶材利用率的磁控溅射阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN210065899U ,2020-02-14
[4]
新型高靶材利用率平面磁控溅射阴极 [P]. 
张诚 .
中国专利 :CN107083537B ,2017-08-22
[5]
一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极 [P]. 
汪建 ;
杜寅昌 ;
李成 ;
程厚义 ;
赵巍胜 ;
张悦 .
中国专利 :CN113584449A ,2021-11-02
[6]
一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法 [P]. 
彭寿 ;
葛承全 ;
张超群 ;
井治 ;
张仰平 ;
李险峰 .
中国专利 :CN103820759A ,2014-05-28
[7]
一种高靶材利用率的平面磁控溅射阴极装置 [P]. 
匡国庆 .
中国专利 :CN216074016U ,2022-03-18
[8]
一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P]. 
陈理 ;
李国强 .
中国专利 :CN101418433A ,2009-04-29
[9]
一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P]. 
陈理 ;
李国强 .
中国专利 :CN201301340Y ,2009-09-02
[10]
一种高场强高靶材利用率的阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN109735821A ,2019-05-10