一种介电复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810240055.4

申请日：

2008-12-17

公开(公告)号：

CN101423645B

公开(公告)日：

2009-05-06

发明(设计)人：

邓元张艳景王广胜宋袁曾杨萌

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K324 C08K308 C08J518 H01G406

代理机构：

北京永创新实专利事务所 11121

代理人：

周长琪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	授权	授权
2009-05-06	公开	公开
2009-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20081217 授权公告日:20101201 终止日期:20181217

共 50 条

[1]

Bi2S3-BaTiO3/PVDF复合材料及其制备方法 [P].

邓元 ;

张艳景 ;

宋袁曾 ;

王广胜 ;

杨萌 .

中国专利 :CN101423644A ,2009-05-06

[2]

介电复合材料及其制备方法 [P].

沈洋 ;

张涛 ;

南策文 .

中国专利 :CN108570201B ,2018-09-25

[3]

一种介电复合材料及其制备方法 [P].

刘诗 ;

任意 ;

郑雄峰 ;

雷勇 .

中国专利 :CN115477816A ,2022-12-16

[4]

一种介电复合材料及其制备方法 [P].

高启新 .

中国专利 :CN106751238A ,2017-05-31

[5]

一种含有银纳米线的高介电复合材料及其制备方法 [P].

王策 ;

郑伟 ;

卢晓峰 ;

李振宇 ;

王威 ;

王兆杰 ;

宋明昕 .

中国专利 :CN101550260A ,2009-10-07

[6]

一种高介电复合材料及其制备方法 [P].

陶洁 .

中国专利 :CN119899470A ,2025-04-29

[7]

一种高介电复合材料及其制备方法 [P].

陈苑明 ;

曹金东 ;

毕建民 ;

严丹 ;

何为 ;

王守绪 ;

王美娟 ;

谭建容 ;

周国云 .

中国专利 :CN111844955A ,2020-10-30

[8]

一种高介电复合材料及其制备方法 [P].

毛泽鹏 ;

汤骏航 ;

石雨琦 ;

陶琳毓 ;

张军 .

中国专利 :CN119371692A ,2025-01-28

[9]

PPO基介电复合材料及其制备方法 [P].

王忠强 ;

卢健体 ;

易庆锋 .

中国专利 :CN115850946B ,2025-08-26

[10]

一种介电复合材料及其制备方法和应用 [P].

张叶兴 ;

左沛元 ;

林静宇 ;

靳鹏云 ;

王佳 ;

庄启昕 .

中国专利 :CN116948397B ,2024-01-02

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