一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910077733.4

申请日：

2009-02-13

公开(公告)号：

CN101478005B

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北京大学校区

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

李稚婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-08	公开	公开
2010-06-09	授权	授权
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-01-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101683652080 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2009100777334 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学深圳研究生院变更后权利人:京东方科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北京大学校区变更后权利人:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号登记生效日:20131210

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

何佳新 .

中国专利 :CN112420849B ,2024-08-20

[2]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

何佳新 .

中国专利 :CN112420849A ,2021-02-26

[3]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

余威 .

中国专利 :CN109659370A ,2019-04-19

[4]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[5]

一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

肖祥 ;

迟世鹏 .

中国专利 :CN103311128A ,2013-09-18

[6]

一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法 [P].

张盛东 ;

邵阳 ;

肖祥 ;

贺鑫 .

中国专利 :CN104282576B ,2015-01-14

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 [P].

张良芬 ;

吴元均 ;

徐源竣 .

中国专利 :CN107275412A ,2017-10-20

[8]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

陈晓威 .

中国专利 :CN114678427A ,2022-06-28

[9]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

钟德镇 ;

张原豪 .

中国专利 :CN115084277A ,2022-09-20

[10]

一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

肖祥 ;

迟世鹏 ;

冷传利 ;

邵阳 .

中国专利 :CN103346089B ,2013-10-09

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