一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910114342.5

申请日：

2009-08-29

公开(公告)号：

CN101671181B

公开(公告)日：

2010-03-17

发明(设计)人：

彭桂花梁振华冯玉芝卢锋奇李庆余王红强

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市育才路15号

IPC主分类号：

C04B35645

IPC分类号：

C04B35584

代理机构：

桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107

代理人：

苏家达

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-04	授权	授权
2018-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/645 申请日:20090829 授权公告日:20120104 终止日期:20170829
2010-03-17	公开	公开
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001373656 IPC(主分类):C04B 35/645 专利申请号:2009101143425 申请日:20090829

共 50 条

[1]

一种高硬度氮化硅陶瓷的低温烧结方法 [P].

彭桂花 ;

江国健 ;

李文兰 ;

张宝林 ;

庄汉锐 ;

徐素英 .

中国专利 :CN1654430A ,2005-08-17

[2]

一种透明β-氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

彭桂花 ;

梁振华 ;

李庆余 ;

王红强 ;

梁敏 ;

李向果 .

中国专利 :CN101215174B ,2008-07-09

[3]

以氮化硅镁为烧结助剂的高热导氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

彭桂花 ;

江国健 ;

李文兰 ;

张宝林 ;

庄汉锐 ;

徐素英 .

中国专利 :CN1654427A ,2005-08-17

[4]

一种高硬度氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

曾宇平 ;

梁汉琴 ;

魏悦 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚冬旭 ;

尹金伟 .

中国专利 :CN111908923B ,2020-11-10

[5]

一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

孙峰 ;

黄硕 ;

王路 ;

王再义 ;

王硕 ;

李东升 .

中国专利 :CN119751088B ,2025-06-13

[6]

一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

孙峰 ;

黄硕 ;

王路 ;

王再义 ;

王硕 ;

李东升 .

中国专利 :CN119751088A ,2025-04-04

[7]

一种高热导氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

彭桂花 ;

江国健 ;

李文兰 ;

张宝林 ;

庄汉锐 ;

徐素英 .

中国专利 :CN1810720A ,2006-08-02

[8]

一种具有高韧性和高硬度的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用 [P].

于俊杰 ;

李泽华 ;

杨小青 ;

刘健 ;

曾海洋 ;

吴敏 ;

郭伟明 ;

林华泰 .

中国专利 :CN118851776A ,2024-10-29

[9]

常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 [P].

刘得顺 ;

王福 ;

杨连弟 ;

王京甫 ;

徐锦标 ;

郭金砚 ;

邹艺峰 .

中国专利 :CN102276260B ,2011-12-14

[10]

一种低温无压烧结氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

李晓雷 ;

赵志浩 ;

孙永强 ;

季惠明 .

中国专利 :CN107043263A ,2017-08-15

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