银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010077581.4

申请日：

2020-01-30

公开(公告)号：

CN111482617B

公开(公告)日：

2020-08-04

发明(设计)人：

张玲洁沈涛暴宁钟杨辉樊先平

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

B22F924

IPC分类号：

B22F100 B22F102 H01B1300 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司 33212

代理人：

周世骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	授权	授权
2020-08-04	公开	公开
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 9/24 申请日:20200130

共 50 条

[1]

金属氧化物复合银纳米线透明导电薄膜的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

白盛池 ;

汪海风 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106782891A ,2017-05-31

[2]

一种银@金属氧化物复合纳米线的制备方法 [P].

李越 ;

孙一强 ;

杭立峰 ;

李昕扬 ;

刘广强 .

中国专利 :CN106001552A ,2016-10-12

[3]

一种银纳米线与金属氧化物复合制备透明导电薄膜的方法 [P].

李海东 ;

程凤梅 ;

李沛 ;

李晶 ;

吴吉娜 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN113257481A ,2021-08-13

[4]

金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的制造方法 [P].

张源 ;

向群 ;

徐甲强 ;

许鹏程 .

中国专利 :CN101734614A ,2010-06-16

[5]

银纳米线-氧化物溶胶复合透明电极的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

白盛池 ;

汪海风 ;

陈天锐 ;

杨辉 .

中国专利 :CN108766628A ,2018-11-06

[6]

一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法 [P].

潘道成 ;

陶影 ;

李伸杰 .

中国专利 :CN104575864A ,2015-04-29

[7]

金属氧化物纳米线的原位生长和催化纳米颗粒修饰 [P].

S·施泰因豪尔 ;

V·达尔·辛格 ;

M·I·索万 .

中国专利 :CN107849692A ,2018-03-27

[8]

凹版印刷银纳米线-金属氧化物复合薄膜及其制法与应用 [P].

王振国 ;

郭经波 ;

骆群 ;

林剑 ;

马昌期 .

中国专利 :CN118082396A ,2024-05-28

[9]

一种金属/金属氧化物纳米复合材料的制备方法 [P].

张忠华 ;

程冠桦 ;

徐俊岭 .

中国专利 :CN103646792A ,2014-03-19

[10]

纳米金属或金属氧化物/碳纳米管复合材料的制备方法 [P].

李效民 ;

吴永庆 ;

于伟东 ;

徐军 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN101255544B ,2008-09-03

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