粉末冶金法制备碳纳米管场发射冷阴极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410014688.5

申请日：

2004-04-19

公开(公告)号：

CN1329936C

公开(公告)日：

2005-01-12

发明(设计)人：

娄朝刚张晓兵雷威

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

H01J902

IPC分类号：

H01J1924 C01B3102

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

沈廉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-12	公开	公开
2007-08-01	授权	授权
2011-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101081290881 IPC(主分类):H01J 9/02 专利号:ZL2004100146885 申请日:20040419 授权公告日:20070801 终止日期:20100419
2005-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低温下制备银/碳纳米管场发射冷阴极的方法 [P].

李海燕 ;

张之圣 ;

胡明 ;

崔屾 ;

吴裕功 ;

王秀宇 .

中国专利 :CN1694207A ,2005-11-09

[2]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

陈婷 ;

陈垚 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103456581B ,2013-12-18

[3]

碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104241062A ,2014-12-24

[4]

场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法 [P].

方国家 ;

刘逆霜 ;

杨晓霞 ;

李春 ;

李军 .

中国专利 :CN101236872A ,2008-08-06

[5]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

贺思如 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113990721A ,2022-01-28

[6]

碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 [P].

陈婷 ;

洪序达 ;

陈垚 ;

孙竹 ;

桂建保 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103871802A ,2014-06-18

[7]

一种新型金属基碳纳米管场发射冷阴极 [P].

麻华丽 ;

李亚宁 ;

任远 ;

陈战胜 ;

茹意 ;

侯海兴 ;

田硕 ;

曾凡光 .

中国专利 :CN203134742U ,2013-08-14

[8]

一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法 [P].

曾凡光 ;

麻华丽 ;

陈雷明 ;

田硕 ;

茹意 ;

张天夏 ;

乔淑珍 ;

张锐 .

中国专利 :CN102324351A ,2012-01-18

[9]

碳纳米管场发射阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN119943627A ,2025-05-06

[10]

碳纳米管冷阴极的制造方法及其应用 [P].

周明杰 ;

邵鹏睿 ;

马文波 .

中国专利 :CN102262988A ,2011-11-30

← 1 2 3 4 5 →