掺La3+的Y2O3基透明多晶陶瓷和激光陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510023376.5

申请日：

2005-01-17

公开(公告)号：

CN1660716A

公开(公告)日：

2005-08-31

发明(设计)人：

杨秋红

申请人：

申请人地址：

200072上海市闸北区延长路149号

IPC主分类号：

C04B3550

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

上海上大专利事务所

代理人：

顾勇华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101429724289 IPC(主分类):C04B 35/50 专利号:ZL2005100233765 申请日:20050117 授权公告日:20081231 终止日期:20120117
2005-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-31	授权	授权
2005-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

Mg、Ti共掺的Al2O3晶体材料及其透明激光陶瓷的制备方法 [P].

杨秋红 ;

曾智江 .

中国专利 :CN1727303A ,2006-02-01

[2]

Cr4+：Al2O3透明激光陶瓷材料的制备方法 [P].

杨秋红 ;

徐军 ;

曾智江 ;

苏良碧 .

中国专利 :CN1778758A ,2006-05-31

[3]

掺Ce3+的氧化镥基透明闪烁陶瓷材料的制备方法 [P].

杨秋红 ;

徐军 ;

周洪旭 .

中国专利 :CN101215171A ,2008-07-09

[4]

掺Nd3+的氧化镧钇激光陶瓷的制备方法 [P].

杨秋红 .

中国专利 :CN1699281A ,2005-11-23

[5]

Y2O3掺杂Al2O3微波介质陶瓷的制备方法 [P].

卢路平 .

中国专利 :CN107867829A ,2018-04-03

[6]

一种高透过率Dy:Y2O3透明陶瓷的制备方法 [P].

王俊 ;

马杰 ;

王飞 ;

刘鹏 ;

沈德元 .

中国专利 :CN114163235A ,2022-03-11

[7]

Nd3+离子掺杂的Lu2O3透明激光陶瓷的制备方法 [P].

施鹰 ;

周鼎 ;

谢建军 ;

云平 .

中国专利 :CN101333110A ,2008-12-31

[8]

Lu2O3基透明陶瓷低温烧结制备方法 [P].

杨秋红 .

中国专利 :CN100554219C ,2007-09-12

[9]

掺Ce3+的氧化镧钇透明闪烁陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨秋红 ;

徐军 .

中国专利 :CN101148356A ,2008-03-26

[10]

Nd掺杂α-Al2O3透明陶瓷激光介质材料的制备方法 [P].

归琰 ;

杨秋红 ;

邵英杰 ;

袁野 .

中国专利 :CN105801095A ,2016-07-27

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