一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611140906.9

申请日：

2016-12-12

公开(公告)号：

CN106601920A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

辛征航向超宇李乐张滔张东华

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5152 H01L5156

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/50 申请公布日:20170426
2018-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20161212
2017-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

量子点发光场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖标 ;

付东 ;

闫晓林 .

中国专利 :CN105304830A ,2016-02-03

[2]

一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

闫晓林 .

中国专利 :CN105355799A ,2016-02-24

[3]

顶发射量子点发光场效应晶体管及其制备方法 [P].

辛征航 ;

向超宇 ;

李乐 ;

张滔 ;

张东华 .

中国专利 :CN106449724A ,2017-02-22

[4]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

A·库马尔 .

中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20

[5]

垂直场效应晶体管及用于构造垂直场效应晶体管的方法 [P].

J·巴林豪斯 ;

J·鲁德哈德 .

中国专利 :CN114830350A ,2022-07-29

[6]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[7]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

温雅楠 ;

张露 ;

黄元琪 .

中国专利 :CN117954493A ,2024-04-30

[9]

垂直环栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

田禾 ;

赵禹涵 ;

沈阳 .

中国专利 :CN118472037A ,2024-08-09

[10]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

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