含钴一维配合物晶体材料及其制备方法和应用

被引：0

申请号：

CN202110724219.6

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN115536854A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

殷艳艳张乐喜李挺董昊肖丽媛张子帆张清倩

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区宾水西道391号

IPC主分类号：

C08G8300

IPC分类号：

C07F1506 G01N2712

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 83/00 申请日:20210629
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

含钴一维配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

殷艳艳 ;

张乐喜 ;

李挺 ;

董昊 ;

肖丽媛 ;

张子帆 ;

张清倩 .

中国专利 :CN115536854B ,2024-05-28

[2]

含铅一维配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

肖静 ;

殷艳艳 ;

吴玥漪 .

中国专利 :CN115368402B ,2024-08-30

[3]

含铅一维配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

肖静 ;

殷艳艳 ;

吴玥漪 .

中国专利 :CN115368402A ,2022-11-22

[4]

含钴离子的功能配合物湿敏材料及其制备方法和应用 [P].

张乐喜 ;

刘伟 ;

殷艳艳 ;

邢月 ;

董昊 ;

别利剑 ;

李亚宁 .

中国专利 :CN109320560B ,2019-02-12

[5]

含镉离子的噻吩类功能配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

张乐喜 ;

殷艳艳 ;

邢月 ;

刘璐 ;

别利剑 ;

李亚宁 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN109320531B ,2019-02-12

[6]

镍基配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

崔培培 ;

郭旭 ;

侯梦楠 ;

郑雅文 ;

孙悦 ;

孙晓彤 ;

顾雯 ;

李鑫林 ;

郭芷彤 ;

黄鑫 .

中国专利 :CN119161393B ,2025-01-28

[7]

镍基配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

崔培培 ;

郭旭 ;

侯梦楠 ;

郑雅文 ;

孙悦 ;

孙晓彤 ;

顾雯 ;

李鑫林 ;

郭芷彤 ;

黄鑫 .

中国专利 :CN119161393A ,2024-12-20

[8]

镉配合物晶体材料及其制备方法和荧光识别应用 [P].

韩沈茹 ;

马振轩 ;

高飞燕 ;

荣朝曼 ;

孙悦 ;

杜舒萍 ;

王天予 ;

王思本 ;

崔培培 .

中国专利 :CN119504422B ,2025-04-25

[9]

镉配合物晶体材料及其制备方法和荧光识别应用 [P].

韩沈茹 ;

马振轩 ;

高飞燕 ;

荣朝曼 ;

孙悦 ;

杜舒萍 ;

王天予 ;

王思本 ;

崔培培 .

中国专利 :CN119504422A ,2025-02-25

[10]

一种锌配合物晶体材料及其制备方法和应用 [P].

卢灿忠 ;

吴小园 ;

吴伟明 ;

王洒洒 .

中国专利 :CN118530266A ,2024-08-23

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