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用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN01108884.2
申请日
:
2001-09-29
公开(公告)号
:
CN1371101A
公开(公告)日
:
2002-09-25
发明(设计)人
:
李永宅
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C1602
IPC分类号
:
G11C1610
G11C712
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所
代理人
:
马莹;邵亚丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2003-08-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2021-10-22
专利权的终止
专利权有效期届满 IPC(主分类):G11C 16/02 申请日:20010929 授权公告日:20050406
2002-09-25
公开
公开
2005-04-06
授权
授权
共 50 条
[1]
非易失性存储器的编程电路
[P].
王井舟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王井舟
.
中国专利
:CN207558427U
,2018-06-29
[2]
非易失性存储器设备和在非易失性存储器中编程的方法
[P].
崔容赫
论文数:
0
引用数:
0
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0
崔容赫
;
南尚完
论文数:
0
引用数:
0
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0
南尚完
;
柳载德
论文数:
0
引用数:
0
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0
柳载德
;
李耀翰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李耀翰
.
中国专利
:CN114496041A
,2022-05-13
[3]
用于对非易失性存储器进行编程的动态位线偏压
[P].
迪潘舒·杜塔
论文数:
0
引用数:
0
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0
迪潘舒·杜塔
;
大和田宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
大和田宪
;
东谷政昭
论文数:
0
引用数:
0
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0
东谷政昭
;
曼·L·木伊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曼·L·木伊
.
中国专利
:CN105051824A
,2015-11-11
[4]
存储器编程的放电电路
[P].
陈重光
论文数:
0
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0
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0
陈重光
;
陈汉松
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈汉松
;
洪俊雄
论文数:
0
引用数:
0
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0
洪俊雄
.
中国专利
:CN102142280A
,2011-08-03
[5]
非易失性存储器编程顺序
[P].
D.利嫩
论文数:
0
引用数:
0
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0
D.利嫩
;
J.帕查穆图
论文数:
0
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0
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0
J.帕查穆图
;
K.佩里亚南
论文数:
0
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0
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0
K.佩里亚南
.
中国专利
:CN112947849A
,2021-06-11
[6]
非易失性存储器编程顺序
[P].
D.利嫩
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西部数据技术公司
西部数据技术公司
D.利嫩
;
J.帕查穆图
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西部数据技术公司
西部数据技术公司
J.帕查穆图
;
K.佩里亚南
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西部数据技术公司
西部数据技术公司
K.佩里亚南
.
美国专利
:CN112947849B
,2024-06-25
[7]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器
[P].
张永伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
昕原半导体(上海)有限公司
昕原半导体(上海)有限公司
张永伟
.
中国专利
:CN119360906A
,2025-01-24
[8]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器
[P].
张永伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
昕原半导体(上海)有限公司
昕原半导体(上海)有限公司
张永伟
.
中国专利
:CN119360906B
,2025-04-18
[9]
非易失性存储器的位线升压
[P].
杨翔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
桑迪士克科技有限责任公司
桑迪士克科技有限责任公司
杨翔
;
权大元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
桑迪士克科技有限责任公司
桑迪士克科技有限责任公司
权大元
.
美国专利
:CN113168873B
,2024-08-06
[10]
非易失性存储器的位线升压
[P].
杨翔
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨翔
;
权大元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
权大元
.
中国专利
:CN113168873A
,2021-07-23
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