用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路

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专利类型
发明
申请号
CN01108884.2
申请日
2001-09-29
公开(公告)号
CN1371101A
公开(公告)日
2002-09-25
发明(设计)人
李永宅
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C1602
IPC分类号
G11C1610 G11C712
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
马莹;邵亚丽
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性存储器的编程电路 [P]. 
王井舟 .
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[2]
非易失性存储器设备和在非易失性存储器中编程的方法 [P]. 
崔容赫 ;
南尚完 ;
柳载德 ;
李耀翰 .
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[3]
用于对非易失性存储器进行编程的动态位线偏压 [P]. 
迪潘舒·杜塔 ;
大和田宪 ;
东谷政昭 ;
曼·L·木伊 .
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[4]
存储器编程的放电电路 [P]. 
陈重光 ;
陈汉松 ;
洪俊雄 .
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[5]
非易失性存储器编程顺序 [P]. 
D.利嫩 ;
J.帕查穆图 ;
K.佩里亚南 .
中国专利 :CN112947849A ,2021-06-11
[6]
非易失性存储器编程顺序 [P]. 
D.利嫩 ;
J.帕查穆图 ;
K.佩里亚南 .
美国专利 :CN112947849B ,2024-06-25
[7]
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[8]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器 [P]. 
张永伟 .
中国专利 :CN119360906B ,2025-04-18
[9]
非易失性存储器的位线升压 [P]. 
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权大元 .
美国专利 :CN113168873B ,2024-08-06
[10]
非易失性存储器的位线升压 [P]. 
杨翔 ;
权大元 .
中国专利 :CN113168873A ,2021-07-23