分枝纳米晶须形成的纳米结构和制造它的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480040987.4

申请日：

2004-11-18

公开(公告)号：

CN101124152B

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

L·I·萨米尔松 K·W·德佩尔特

申请人：

申请人地址：

瑞典隆德

IPC主分类号：

B82B100

IPC分类号：

B82B300 C30B1112 C30B2944 C30B2940

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

吕彩霞;邹雪梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-13	公开	公开
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-01-23	授权	授权
2017-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101696185133 IPC(主分类):B82B 1/00 专利号:ZL2004800409874 申请日:20041118 授权公告日:20130123 终止日期:20151118

共 50 条

[1]

包括纳米晶须的探针结构、其制造方法以及形成纳米晶须的方法 [P].

拉尔斯·伊瓦尔·萨穆埃尔松 ;

比约恩·约纳斯·奥尔松 .

中国专利 :CN1826662A ,2006-08-30

[2]

纳米结构和纳米结构的制造方法 [P].

元井泰子 ;

玉森研尔 ;

王诗男 ;

奥贯昌彦 ;

小野治人 ;

饗场利明 ;

吉松伸起 .

中国专利 :CN101308777B ,2008-11-19

[3]

精确定位的纳米晶须和纳米晶须阵列及其制备方法 [P].

拉尔斯·伊瓦尔·萨穆埃尔松 ;

比约恩·约纳斯·奥尔松 ;

托马斯·马丁·英瓦尔·莫滕松 .

中国专利 :CN1829654B ,2006-09-06

[4]

形成纳米结构的方法和纳米结构 [P].

郑雅如 ;

金昊辙 ;

R·D·米勒 .

中国专利 :CN101269791A ,2008-09-24

[5]

纳米结构及其制造方法 [P].

拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 ;

约纳斯·比约恩·奥尔松 .

中国专利 :CN101562205B ,2009-10-21

[6]

纳米晶硅的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101245489A ,2008-08-20

[7]

大量制备β－SiC纳米晶须的方法 [P].

张亚非 ;

吴艳军 ;

覃文 ;

徐东 .

中国专利 :CN1487127A ,2004-04-07

[8]

形成纳米结构的方法 [P].

张俊诚 .

中国专利 :CN102566259A ,2012-07-11

[9]

形成纳米结构的方法 [P].

P.马迪罗维奇 ;

Q.韦 ;

A.M.富勒 .

中国专利 :CN103249873A ,2013-08-14

[10]

制造纳米结构的方法和装置以及互联纳米结构网和纳米结构 [P].

王祖敏 .

中国专利 :CN104812931A ,2015-07-29

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