一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110046985.8

申请日：

2011-02-28

公开(公告)号：

CN102174677A

公开(公告)日：

2011-09-07

发明(设计)人：

唐新峰姚凤霞罗文辉林泽冰

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C22C105

IPC分类号：

H01L3534

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

唐万荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-07	公开	公开
2011-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101131515426 IPC(主分类):C22C 1/05 专利申请号:2011100469858 申请日:20110228
2016-04-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101655731574 IPC(主分类):C22C 1/05 专利号:ZL2011100469858 申请日:20110228 授权公告日:20121219 终止日期:20150228
2012-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

吴优 ;

谢文杰 .

中国专利 :CN102674270A ,2012-09-19

[2]

一种低温固相反应制备Mg2BIV基热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

柳伟 ;

鄢永高 ;

李涵 ;

杰弗里·夏普 .

中国专利 :CN101956110A ,2011-01-26

[3]

一种P型高锰硅热电材料的制备方法 [P].

唐新峰 ;

罗文辉 ;

林泽冰 ;

杜保立 .

中国专利 :CN101692479B ,2010-04-07

[4]

一种固相反应制备硅纳米材料的方法及其应用 [P].

张天文 .

中国专利 :CN106486658A ,2017-03-08

[5]

基于磁场条件下的方钴矿型热电材料的低温固相反应制备方法 [P].

秦丙克 ;

佘大友 ;

吴山奇 ;

李朝美 ;

韦成雷 ;

张晓聪 ;

雷以柱 .

中国专利 :CN120438617A ,2025-08-08

[6]

一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

佘晓羽 ;

苏贤礼 ;

鄢永高 .

中国专利 :CN104004935A ,2014-08-27

[7]

一种高温固相反应制备高纯镥锰氧陶瓷的方法 [P].

张弜 ;

何丽群 ;

陈熹 .

中国专利 :CN102875154A ,2013-01-16

[8]

一种放电等离子体合成和烧结一步快速制备高锰硅热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

姚凤霞 ;

柳伟 ;

罗文辉 .

中国专利 :CN102220537A ,2011-10-19

[9]

低热固相反应制备锂锰氧化物的方法 [P].

杨彧 ;

周益明 ;

忻新泉 .

中国专利 :CN1225041C ,2003-12-10

[10]

室温固相反应制备氯氧化铋的方法 [P].

徐金宝 ;

王磊 ;

贾殿赠 .

中国专利 :CN102010003A ,2011-04-13

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