高亮度发光二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410255728.9
申请日
2014-06-11
公开(公告)号
CN103996786A
公开(公告)日
2014-08-20
发明(设计)人
钱国珍
申请人
申请人地址
213000 江苏省常州市武进区高新技术产业开发区南区龙渊路
IPC主分类号
H01L3348
IPC分类号
H01L25075 H01L3364
代理机构
苏州广正知识产权代理有限公司 32234
代理人
刘述生
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高亮度发光二极管 [P]. 
钱国珍 .
中国专利 :CN203932102U ,2014-11-05
[2]
高亮度发光二极管 [P]. 
洪瑞华 ;
武东星 ;
江彦志 ;
邱麒颖 .
中国专利 :CN2665935Y ,2004-12-22
[3]
高亮度发光二极管 [P]. 
林惠作 ;
林景渊 .
中国专利 :CN2809881Y ,2006-08-23
[4]
高亮度发光二极管 [P]. 
林居男 ;
钟信吉 ;
陈裕丰 .
中国专利 :CN1553521A ,2004-12-08
[5]
高亮度发光二极管 [P]. 
赵叶勤 ;
郭晓维 ;
蒋增钦 ;
王东明 .
中国专利 :CN2574225Y ,2003-09-17
[6]
高亮度发光二极管 [P]. 
黄坤富 ;
张峻荣 ;
郭奇文 ;
陈俊荣 ;
方国龙 ;
赵志伟 .
中国专利 :CN102569572B ,2012-07-11
[7]
高亮度发光二极管 [P]. 
陈兴 .
中国专利 :CN2300189Y ,1998-12-09
[8]
高亮度发光二极管 [P]. 
徐智魁 ;
徐海文 ;
钟宽仁 .
中国专利 :CN101364625B ,2009-02-11
[9]
高亮度发光二极管 [P]. 
朱源发 .
中国专利 :CN101315959A ,2008-12-03
[10]
高亮度发光二极管 [P]. 
洪梓健 ;
沈佳辉 ;
马志邦 .
中国专利 :CN102034904A ,2011-04-27