沟槽功率器件的栅极沟槽的刻蚀方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110087271.1
申请日
2011-04-08
公开(公告)号
CN102184862A
公开(公告)日
2011-09-14
发明(设计)人
吕宇强
申请人
申请人地址
200233 上海市虹漕路385号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
陈亮
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽功率器件的制作方法 [P]. 
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张怡 .
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严强生 ;
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[3]
沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P]. 
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[4]
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陶玉美 ;
赵学锋 ;
汤光洪 ;
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[5]
一种沟槽功率器件的制造方法 [P]. 
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苗跃 ;
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[6]
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杨彦涛 ;
赵金波 ;
陈琛 ;
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[7]
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[8]
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杨彦涛 ;
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[9]
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[10]
沟槽功率器件及沟槽功率器件的制备方法 [P]. 
李理 .
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