基于多孔介电材料薄膜的弹道场发射显示器件阴极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110136861.9

申请日：

2011-05-25

公开(公告)号：

CN102243967A

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

刘红忠丁玉成陈邦道王兰兰卢秉恒

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

H01J902

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

陆万寿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180310566 IPC(主分类):H01J 9/02 专利申请号:2011101368619 申请日:20110525
2011-11-16	公开	公开
2013-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

基于多孔氧化铝结构的薄膜阴极场发射显示器件 [P].

李德杰 .

中国专利 :CN1741236A ,2006-03-01

[2]

一种薄膜场发射显示器件及其场发射阴极的制备方法 [P].

李德杰 .

中国专利 :CN1773664A ,2006-05-17

[3]

薄膜晶体管控制的薄膜场发射显示器件 [P].

李德杰 .

中国专利 :CN1885483A ,2006-12-27

[4]

一种平面三极场发射显示器件及其制备的方法 [P].

雷威 ;

张晓兵 ;

孙小卫 ;

娄朝刚 .

中国专利 :CN101071721A ,2007-11-14

[5]

基于多孔材料的场致发射型电子源及显示器件 [P].

刘震 ;

李姝敏 ;

裴承全 ;

韦海成 ;

刘纯亮 ;

吴胜利 .

中国专利 :CN104882344A ,2015-09-02

[6]

场发射显示器件的高真空封装方法 [P].

冯涛 ;

张继华 ;

王曦 ;

柳襄怀 ;

李琼 .

中国专利 :CN1556540A ,2004-12-22

[7]

介电材料、包括其的器件以及制备该介电材料的方法 [P].

郑盛允 ;

安志祥 .

韩国专利 :CN118197801A ,2024-06-14

[8]

背栅极场发射显示器的阴极结构 [P].

雷威 ;

张晓兵 ;

娄朝刚 .

中国专利 :CN201345341Y ,2009-11-11

[9]

场发射增强的发光平板显示器件 [P].

徐征 ;

徐叙瑢 .

中国专利 :CN1337664A ,2002-02-27

[10]

一种基于电致反光技术的显示器件及其制备方法 [P].

段羽 ;

姜欣 ;

于超 ;

袁梦 ;

唐欣 .

中国专利 :CN117471801A ,2024-01-30

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