一种晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110152492.2

申请日：

2011-06-09

公开(公告)号：

CN102275925A

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

邢鹏飞王珺庄艳歆任存治涂赣峰

申请人：

申请人地址：

110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

代理机构：

沈阳东大专利代理有限公司 21109

代理人：

李在川

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-14	公开	公开
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177115902 IPC(主分类):C01B 31/36 专利申请号:2011101524922 申请日:20110609
2013-10-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备碳化硅多孔陶瓷的方法 [P].

马北越 ;

张亚然 ;

李世明 ;

任鑫明 ;

张博文 ;

于景坤 .

中国专利 :CN107686369A ,2018-02-13

[2]

一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法 [P].

李斌川 ;

韩庆 ;

孙敏 ;

王飞 ;

陈建设 ;

刘奎仁 .

中国专利 :CN108529629A ,2018-09-14

[3]

反应烧结碳化硅的生产方法 [P].

王汝江 ;

张怀顺 .

中国专利 :CN101081740A ,2007-12-05

[4]

一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法 [P].

邢鹏飞 ;

姜胜南 ;

崔晓华 ;

刘洋 ;

都兴红 ;

高波 ;

李大刚 .

中国专利 :CN107651691A ,2018-02-02

[5]

一种反应烧结碳化硅的制备方法 [P].

郑恩阳 .

中国专利 :CN112174675A ,2021-01-05

[6]

一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法 [P].

邢鹏飞 ;

金星 ;

孔剑 ;

王敬强 ;

刘洋 ;

高波 ;

都兴红 ;

涂赣峰 .

中国专利 :CN106834765B ,2017-06-13

[7]

用晶体硅切割废料制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料的方法 [P].

刘延军 .

中国专利 :CN103266234A ,2013-08-28

[8]

一种低温反应烧结碳化硅的制备方法 [P].

方宁象 ;

张国军 ;

张波 ;

张新龙 .

中国专利 :CN104030688A ,2014-09-10

[9]

一种氮化改性反应烧结碳化硅陶瓷表面的方法 [P].

马丽 ;

孙珊 ;

龚红宇 ;

马坤 ;

龚志刚 ;

李志涛 ;

龚星宇 ;

袁洪峰 .

中国专利 :CN113307644A ,2021-08-27

[10]

一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法 [P].

陈健 ;

马宁宁 ;

郑嘉棋 ;

黄政仁 .

中国专利 :CN109799234A ,2019-05-24

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