半导体存储装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610141276.0
申请日
2016-03-11
公开(公告)号
CN106251901B
公开(公告)日
2016-12-21
发明(设计)人
长富靖 星聪
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
G11C1610
IPC分类号
G11C1626 G11C1604
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
张世俊
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置 [P]. 
驹井宏充 .
中国专利 :CN109411003B ,2019-03-01
[2]
半导体存储装置 [P]. 
荒川健 .
中国专利 :CN100474447C ,2006-01-25
[3]
半导体存储装置 [P]. 
今本哲広 ;
菅原昭雄 .
中国专利 :CN110895956A ,2020-03-20
[4]
半导体存储装置 [P]. 
广濑雅庸 ;
饭田真久 .
中国专利 :CN101404183A ,2009-04-08
[5]
半导体存储装置 [P]. 
金原旭成 ;
县泰宏 ;
角谷范彦 ;
增尾昭 .
中国专利 :CN102105940A ,2011-06-22
[6]
半导体存储装置 [P]. 
安西伸介 ;
森康通 ;
田中嗣彦 .
中国专利 :CN1477646A ,2004-02-25
[7]
半导体存储装置 [P]. 
前嶋洋 .
中国专利 :CN105976862A ,2016-09-28
[8]
半导体存储装置 [P]. 
原田佳和 .
中国专利 :CN115620777A ,2023-01-17
[9]
半导体存储装置 [P]. 
驹井宏充 .
中国专利 :CN109390018A ,2019-02-26
[10]
半导体存储装置 [P]. 
村上洋树 ;
小嶋英充 .
中国专利 :CN109102836B ,2018-12-28