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一种高致密度的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011307517.7
申请日
:
2020-11-19
公开(公告)号
:
CN112279650A
公开(公告)日
:
2021-01-29
发明(设计)人
:
段深圳
申请人
:
申请人地址
:
236800 安徽省亳州市谯城区张店乡黄楼行政村支曹坊村69号
IPC主分类号
:
C04B35565
IPC分类号
:
C04B3564
B28B300
代理机构
:
六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139
代理人
:
陈斌
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-02-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/565 申请日:20201119
2021-01-29
公开
公开
共 50 条
[1]
一种高致密度的碳化硅复合材料的制备方法
[P].
李友宝
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李友宝
;
励永平
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励永平
;
叶传剑
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叶传剑
.
中国专利
:CN106316401A
,2017-01-11
[2]
一种高致密度铝碳化硅复合材料制备方法
[P].
刘波波
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刘波波
;
何娟
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何娟
;
景文甲
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景文甲
;
刘磊
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刘磊
.
中国专利
:CN111112582A
,2020-05-08
[3]
一种高致密度的碳化硅陶瓷及其制备方法和应用
[P].
周宇章
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周宇章
;
吴利翔
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吴利翔
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郭伟明
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郭伟明
;
朱林林
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朱林林
;
林华泰
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林华泰
.
中国专利
:CN112062572A
,2020-12-11
[4]
一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法
[P].
董绍明
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董绍明
;
钟强
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钟强
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张翔宇
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张翔宇
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阚艳梅
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阚艳梅
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高乐
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高乐
;
周海军
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周海军
;
胡建宝
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胡建宝
.
中国专利
:CN106588060B
,2019-08-20
[5]
一种高致密碳化硅陶瓷的制备方法
[P].
刘凯
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刘凯
;
李秋南
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李秋南
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王惠民
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王惠民
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周波
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周波
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翟桂昌
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翟桂昌
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蔡辉
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蔡辉
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吴急涛
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吴急涛
;
黄涛
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黄涛
.
中国专利
:CN111138197A
,2020-05-12
[6]
高致密的碳化硅复合材料包壳及其制备方法
[P].
薛佳祥
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中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
薛佳祥
;
吴利翔
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中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
吴利翔
;
廖业宏
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中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
廖业宏
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任啟森
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中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
任啟森
;
杨荣坤
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中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
杨荣坤
.
中国专利
:CN119894849A
,2025-04-25
[7]
一种碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法及碳化硅陶瓷基复合材料
[P].
张舸
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张舸
;
张巍
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张巍
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郭聪慧
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郭聪慧
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张永刚
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张永刚
;
文章苹
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文章苹
.
中国专利
:CN111170752A
,2020-05-19
[8]
一种高致密度Cu/CuCr梯度复合材料的制备方法
[P].
胡可
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胡可
;
张久兴
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张久兴
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韩翠柳
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韩翠柳
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杨新宇
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杨新宇
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刘凯
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刘凯
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王小军
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王小军
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师晓云
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师晓云
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杨平
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杨平
.
中国专利
:CN106735207B
,2017-05-31
[9]
高致密性碳化硅陶瓷的制备方法
[P].
王延相
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王延相
;
牛芳旭
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牛芳旭
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王成国
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王成国
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郑林宝
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郑林宝
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马连茹
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马连茹
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刘群
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刘群
.
中国专利
:CN106336218A
,2017-01-18
[10]
一种放电等离子烧结制备的二硼化钛-氮化硼-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法
[P].
田仕
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田仕
;
李浩
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李浩
;
杨旺霖
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杨旺霖
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廖泽林
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廖泽林
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何强龙
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何强龙
;
王为民
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王为民
.
中国专利
:CN113443917B
,2021-09-28
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