用于CMOS图像传感器单粒子效应检测的设备及检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711226250.7

申请日：

2017-11-29

公开(公告)号：

CN108181521A

公开(公告)日：

2018-06-19

发明(设计)人：

汪波刘伟鑫李珍孔泽斌徐导进

申请人：

申请人地址：

201109 上海市闵行区元江路3888号

IPC主分类号：

G01R3100

IPC分类号：

代理机构：

上海航天局专利中心 31107

代理人：

余岢

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R 31/00 申请公布日:20180619
2018-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/00 申请日:20171129
2018-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

图像传感器的单粒子效应检测装置 [P].

陈莉明 ;

董攀 ;

陈茂鑫 ;

李想 ;

郭立业 ;

范隆 ;

岳素格 ;

郑宏超 ;

杜守刚 ;

马建华 ;

王煌伟 ;

文圣泉 ;

毕潇 ;

于春青 .

中国专利 :CN103675546A ,2014-03-26

[2]

一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法 [P].

文林 ;

蔡毓龙 ;

李豫东 ;

周东 ;

冯婕 ;

郭旗 .

中国专利 :CN111220867A ,2020-06-02

[3]

一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法 [P].

郭旗 ;

蔡毓龙 ;

李豫东 ;

文林 ;

周东 ;

冯婕 ;

张翔 ;

刘炳凯 ;

傅婧 .

中国专利 :CN110361618A ,2019-10-22

[4]

针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路 [P].

姚素英 ;

李渊清 ;

徐江涛 ;

史再峰 ;

高静 ;

聂凯明 ;

高志远 .

中国专利 :CN103986888A ,2014-08-13

[5]

能够抵抗单粒子效应的数字像素图像传感器 [P].

姚素英 ;

杨聪杰 ;

徐江涛 ;

高静 ;

史再峰 ;

聂凯明 ;

高志远 .

中国专利 :CN105282463B ,2016-01-27

[6]

用于检测图像传感器的装置及检测方法 [P].

葛亮 ;

王帆 .

中国专利 :CN102685544B ,2012-09-19

[7]

CMOS图像传感器的制造方法及CMOS图像传感器 [P].

李晓玉 ;

秋沉沉 .

中国专利 :CN110957340A ,2020-04-03

[8]

CMOS图像传感器制造方法及CMOS图像传感器 [P].

陈华伦 ;

熊涛 ;

陈瑜 ;

陈雄斌 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101752309A ,2010-06-23

[9]

CMOS图像传感器制造方法及CMOS图像传感器 [P].

陈华伦 ;

熊涛 ;

陈瑜 ;

陈雄斌 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101752310A ,2010-06-23

[10]

一种CMOS图像传感器的缺陷检测方法 [P].

白丽莎 ;

张悦强 ;

叶红波 ;

王勇 .

中国专利 :CN109357687B ,2019-02-19

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