复合烧结体、半导体制造装置部件以及复合烧结体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980018676.4

申请日：

2019-03-08

公开(公告)号：

CN111902383B

公开(公告)日：

2020-11-06

发明(设计)人：

阿闭恭平西村升永井明日美胜田祐司

申请人：

申请人地址：

日本国爱知县

IPC主分类号：

C04B35117

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432

代理人：

王轶;郑雪娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	公开	公开
2020-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/117 申请日:20190308
2022-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法 [P].

八木援 ;

胜田祐司 .

中国专利 :CN110294630A ,2019-10-01

[2]

复合烧结体、半导体制造装置部件及复合烧结体的制造方法 [P].

永井明日美 ;

井上胜弘 ;

胜田祐司 .

中国专利 :CN111712475A ,2020-09-25

[3]

复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法 [P].

阿闭恭平 ;

宫西启太 ;

永井明日美 ;

山口浩文 .

中国专利 :CN114180943A ,2022-03-15

[4]

复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法 [P].

宫西启太 ;

阿闭恭平 ;

永井明日美 ;

山口浩文 ;

青柳宗一郎 .

中国专利 :CN114180942A ,2022-03-15

[5]

复合材料烧结体、接合体、半导体制造装置用部件及复合材料烧结体的制造方法 [P].

井畑佳奈 ;

永井明日美 ;

井上胜弘 .

中国专利 :CN118724595A ,2024-10-01

[6]

复合烧结体及复合烧结体的制造方法 [P].

阿闭恭平 .

日本专利 :CN112750692B ,2024-03-08

[7]

复合烧结体及复合烧结体的制造方法 [P].

阿闭恭平 .

中国专利 :CN112750692A ,2021-05-04

[8]

复合烧结体及复合烧结体的制造方法 [P].

村井刚志 .

日本专利 :CN118478007A ,2024-08-13

[9]

氧化铝烧结体及其制造方法、以及半导体制造装置用部件 [P].

卫藤俊一 ;

福尾长延 ;

斋藤精孝 .

中国专利 :CN111164060B ,2020-05-15

[10]

半导体烧结体、电气电子部件、以及半导体烧结体的制造方法 [P].

贞赖直树 .

中国专利 :CN110622327A ,2019-12-27

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