一种三元单晶材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110599703.0

申请日：

2021-05-31

公开(公告)号：

CN113388882A

公开(公告)日：

2021-09-14

发明(设计)人：

何雅梅京姚远徐成孙杰

申请人：

申请人地址：

435100 湖北省黄石市大冶市罗家桥街道长乐大道66号

IPC主分类号：

C30B102

IPC分类号：

C30B110 C30B2922 H01M4505 H01M4525 H01M100525

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

严政

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 1/02 申请日:20210531
2021-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种三元材料前驱体及其制备的三元材料 [P].

许帅军 ;

李长东 ;

阮丁山 ;

刘伟健 ;

张莹娇 .

中国专利 :CN117083247B ,2024-06-04

[2]

一种单晶颗粒三元正极材料的制备方法 [P].

郭玉国 ;

盛航 ;

石吉磊 ;

张旭东 ;

邹玉刚 ;

殷雅侠 .

中国专利 :CN110233250B ,2019-09-13

[3]

一种多孔三元材料的制备方法、多孔三元材料以及半电池 [P].

邢红霞 ;

王金全 ;

成信刚 ;

杨龙奎 .

中国专利 :CN109638248A ,2019-04-16

[4]

用于制备单晶三元材料的方法、单晶三元材料及锂离子电池 [P].

闵长青 ;

刘星 ;

李郭威 ;

王宗凡 ;

杨智敏 .

中国专利 :CN116497450B ,2024-12-17

[5]

一种单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法 [P].

何雅 ;

梅京 ;

孙杰 ;

姚远 ;

何中林 .

中国专利 :CN113206241B ,2021-08-03

[6]

一种长循环型523单晶三元材料的制备方法 [P].

何雅 ;

孙杰 ;

何中林 .

中国专利 :CN111945224B ,2020-11-17

[7]

一种三元材料的单晶大颗粒的制备方法 [P].

刘建红 ;

刘贵娟 ;

王伟臣 ;

王兴勤 .

中国专利 :CN111600010B ,2020-08-28

[8]

一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法 [P].

穆道斌 ;

吴伯荣 ;

杨卓林 ;

赵志坤 ;

路士杰 ;

张新宇 .

中国专利 :CN114411234A ,2022-04-29

[9]

一种三元正极材料的制备方法 [P].

魏宽婷 ;

王艺林 ;

管婷婷 .

中国专利 :CN119080078A ,2024-12-06

[10]

一种三元单晶正极材料的制备方法 [P].

张友祥 ;

马晓玲 .

中国专利 :CN111180724A ,2020-05-19

← 1 2 3 4 5 →