二维位置分辨硅探测器

被引：0

申请号：

CN202210490644.8

申请日：

2022-05-11

公开(公告)号：

CN114784126A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

李玉云

申请人：

申请人地址：

410000 湖南省长沙市高新区岳麓西大道1689号湖南脉探芯半导体科技有限公司北2厂房

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L31115

代理机构：

成都初阳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51305

代理人：

杨继栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20220511
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

二维位置分辨硅探测器 [P].

李玉云 .

中国专利 :CN217306522U ,2022-08-26

[2]

中子二维位置探测器 [P].

吴冲 ;

孙志嘉 ;

唐彬 .

中国专利 :CN204166139U ,2015-02-18

[3]

日盲二维位置敏感探测器 [P].

单崇新 ;

杨珣 ;

李凯永 ;

田勇志 ;

林超男 ;

陈彦成 .

中国专利 :CN112510104A ,2021-03-16

[4]

二维辐射探测器 [P].

及川四郎 ;

竹本隆之 ;

加藤务 ;

铃木四郎 ;

谷冈健吉 .

中国专利 :CN1034143C ,1995-05-24

[5]

一种二维读出的高位置、高时间分辨探测器 [P].

王义 ;

程建平 ;

王学武 ;

施礼 ;

曾鸣 ;

曾智 ;

赵自然 .

中国专利 :CN103308937A ,2013-09-18

[6]

双楔条型粒子二维位置灵敏探测器 [P].

宁传刚 ;

任雪光 ;

邓景康 .

中国专利 :CN1553177A ,2004-12-08

[7]

二维探测器阵列刻度系统 [P].

龚岚 ;

郑永明 ;

刘操 ;

廖旭辉 ;

张友德 .

中国专利 :CN204556844U ,2015-08-12

[8]

嵌套式三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

刘美萍 ;

张亚 ;

王明洋 .

中国专利 :CN110611009B ,2019-12-24

[9]

β表面污染位置分辨探测器 [P].

曲延涛 ;

刘阳 ;

王仲文 ;

陈凌 ;

王惠 .

中国专利 :CN103698797A ,2014-04-02

[10]

β表面污染位置分辨探测器 [P].

曲延涛 ;

刘阳 ;

王仲文 ;

陈凌 ;

王惠 .

中国专利 :CN203673074U ,2014-06-25

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