一种纳米线三维结构的太阳能电池

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920440279.3

申请日：

2019-04-03

公开(公告)号：

CN209766434U

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

曹钱

申请人：

申请人地址：

332020 江西省九江市共青城工业大道

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310352 H01L31042 H02S2030

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20190403 授权公告日:20191210 终止日期:20210403
2019-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

基于硅纳米线三维结构的太阳能电池 [P].

吴翔 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN204375768U ,2015-06-03

[2]

基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池 [P].

林瀚琪 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN204315610U ,2015-05-06

[3]

基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法 [P].

吴翔 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576783B ,2015-04-29

[4]

双层硅纳米线太阳能电池 [P].

倪玉凤 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN204315580U ,2015-05-06

[5]

一种基于硅纳米线结构的太阳能电池 [P].

房冉冉 ;

曹惠 ;

聂顺 ;

郭丽娟 ;

张潇华 .

中国专利 :CN211295115U ,2020-08-18

[6]

基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法 [P].

林瀚琪 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576803A ,2015-04-29

[7]

用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法 [P].

孙宝全 ;

张云芳 .

中国专利 :CN103337560A ,2013-10-02

[8]

一种新型结构硅纳米线太阳能电池 [P].

彭奎庆 ;

王新 .

中国专利 :CN101369610A ,2009-02-18

[9]

双层GaN纳米线太阳能电池 [P].

苗林 ;

郭辉 ;

黄海栗 ;

苗东铭 ;

胡彦飞 ;

张玉明 .

中国专利 :CN204315579U ,2015-05-06

[10]

一种硅纳米线太阳能电池装置 [P].

彭奎庆 .

中国专利 :CN101257094A ,2008-09-03

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