一种高致密化碳化钛陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410469275.X

申请日：

2014-09-15

公开(公告)号：

CN105481365A

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

张辉黄政仁刘学建

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	公开	公开
2019-03-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 32/921 申请公布日:20160413
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659557284 IPC(主分类):C04B 35/56 专利申请号:201410469275X 申请日:20140915

共 50 条

[1]

一种致密化碳化钛复合陶瓷的制备方法 [P].

茹红强 ;

孙卫康 ;

王春华 .

中国专利 :CN112500167A ,2021-03-16

[2]

一种高致密度碳化硼陶瓷的制备方法 [P].

闫永杰 ;

唐倩 .

中国专利 :CN114538929B ,2022-05-27

[3]

一种致密化碳化钛复合薄膜的制备方法 [P].

程群峰 ;

万思杰 ;

李响 .

中国专利 :CN113582591A ,2021-11-02

[4]

一种高纯度、高致密度、大尺寸碳化硼陶瓷的制备方法 [P].

刘丕显 ;

黄大远 .

中国专利 :CN111233479B ,2020-06-05

[5]

一种高致密度的碳化硅陶瓷及其制备方法和应用 [P].

周宇章 ;

吴利翔 ;

郭伟明 ;

朱林林 ;

林华泰 .

中国专利 :CN112062572A ,2020-12-11

[6]

一种高致密纳米碳化硼陶瓷材料的制备方法 [P].

刘利新 ;

王媛 ;

李绪海 ;

彭旭升 ;

张波涛 .

中国专利 :CN111116203A ,2020-05-08

[7]

一种协同致密化碳化钛复合薄膜的制备方法 [P].

程群峰 ;

万思杰 .

中国专利 :CN115818644B ,2024-07-02

[8]

一种高致密纳米偏钛酸锂陶瓷的制备方法 [P].

石彦立 ;

卢中华 ;

刘宇晨 ;

郭豪 ;

齐建起 ;

卢铁城 .

中国专利 :CN120329029A ,2025-07-18

[9]

一种高致密碳化硼复相陶瓷材料的制备方法 [P].

张兆泉 ;

董满江 ;

钱鹏翔 ;

顾辉 .

中国专利 :CN105367057A ,2016-03-02

[10]

一种高致密碳化硼增强氮化铝复合陶瓷制备方法 [P].

唐健江 ;

刘波波 ;

王鹏冲 .

中国专利 :CN109761618A ,2019-05-17

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