等离子处理装置用气体喷出板

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201830077157.3

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN304826225S

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

田中一海奥田浩司

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

丁文蕴;许凯

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-21	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子处理装置用气体环 [P].

奥田浩司 ;

田中基裕 .

中国专利 :CN304826214S ,2018-09-21

[2]

半导体处理电极用气体喷出板 [P].

土场重树 .

中国专利 :CN3350022D ,2004-01-28

[3]

等离子处理装置用环 [P].

矶崎真一 ;

森政士 ;

横川贤悦 ;

荒濑高男 ;

岩濑拓 .

中国专利 :CN305411691S ,2019-11-01

[4]

等离子处理装置用环 [P].

永井宏治 ;

川口忠义 ;

池永和幸 ;

佐藤浩平 .

中国专利 :CN307657976S ,2022-11-15

[5]

等离子处理装置用离子屏蔽板 [P].

中谷侑亮 ;

田中一海 ;

山冈正作 ;

园田靖 ;

岩濑拓 .

中国专利 :CN307212654S ,2022-03-29

[6]

等离子处理装置用基座 [P].

一野贵雅 ;

佐藤浩平 ;

中本和则 .

中国专利 :CN304265916S ,2017-09-01

[7]

等离子处理装置用基座 [P].

矶崎真一 ;

森政士 ;

横川贤悦 ;

荒濑高男 ;

酒井洋辅 .

中国专利 :CN304826213S ,2018-09-21

[8]

等离子处理装置用环 [P].

一野贵雅 ;

佐藤浩平 ;

中本和则 .

中国专利 :CN304264355S ,2017-09-01

[9]

等离子处理装置及等离子处理方法 [P].

黄太亨 ;

张鸿永 .

中国专利 :CN101267708A ,2008-09-17

[10]

等离子处理装置和等离子处理方法 [P].

桧森慎司 .

中国专利 :CN101990353A ,2011-03-23

← 1 2 3 4 5 →