晶体半导体材料的制造方法以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01141282.8

申请日：

2001-08-22

公开(公告)号：

CN1341954A

公开(公告)日：

2002-03-27

发明(设计)人：

平贺透野口隆碓井节夫森芳文

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-14	授权	授权
2002-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-03-27	公开	公开
2010-11-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101014888256 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL011412828 申请日:20010822 授权公告日:20040714 终止日期:20090922

共 50 条

[1]

制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法 [P].

德拉姆·P·戈塞恩 ;

町田晓夫 ;

中野一志 ;

藤野敏夫 ;

佐藤淳一 .

中国专利 :CN1249779C ,2004-05-12

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

宋均镛 ;

阎江 ;

丹尼·P－C.·舒姆 ;

阿洛艾斯·古特曼 .

中国专利 :CN1848431A ,2006-10-18

[3]

半导体材料、其制造方法以及半导体器件 [P].

关章宪 ;

谷由加里 ;

柴田典义 .

中国专利 :CN1956213A ,2007-05-02

[4]

制造半导体器件的方法、制造半导体模块的方法以及半导体器件 [P].

M·A·瓦古斯 .

美国专利 :CN119673780A ,2025-03-21

[5]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

宋寅铉 ;

梁正吉 ;

李商文 ;

姜明吉 ;

金钟守 ;

朴范琎 .

韩国专利 :CN118693082A ,2024-09-24

[6]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片 [P].

张露 ;

黄元琪 ;

温雅楠 ;

吴俊慷 ;

丁泊宁 ;

赵智彪 ;

许俊豪 .

中国专利 :CN117747618A ,2024-03-22

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

山田敦史 ;

石黑哲郎 ;

小谷淳二 ;

今西健治 .

中国专利 :CN103715248A ,2014-04-09

[8]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[9]

半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金峻渊 ;

卓泳助 ;

金在均 ;

金柱成 ;

朴永洙 ;

蔡秀熙 .

中国专利 :CN104576861A ,2015-04-29

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

高地泰三 ;

胁山悟 .

中国专利 :CN103681711A ,2014-03-26

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