三氧化钨纳米材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010144755.0
申请日
2010-04-08
公开(公告)号
CN102211789A
公开(公告)日
2011-10-12
发明(设计)人
张洪文 蔡伟平 贾丽超
申请人
申请人地址
230031 安徽省合肥市1110信箱
IPC主分类号
C01G4102
IPC分类号
B82B300
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种三氧化钨纳米片的制备方法 [P]. 
陈伟凡 ;
方晓辰 ;
施策 ;
尧牡丹 ;
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徐强 ;
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[2]
一种三氧化钨纳米管的制备方法 [P]. 
胡柱东 ;
林海敏 .
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[3]
不同形貌的固载型三氧化钨纳米材料及其制备方法和应用 [P]. 
席晓丽 ;
樊佑书 ;
刘阳思 ;
赵林艳 ;
沈越岗 ;
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[4]
一种高度有序三氧化钨纳米棒的制备方法 [P]. 
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[5]
制备纳米三氧化钨粉末的方法 [P]. 
郭娜 ;
王豫 ;
羊新胜 ;
刘旭 ;
李统业 ;
张英 ;
李德柱 ;
董亮 ;
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[6]
一种利用三氧化钨变色性能制备三氧化钨/Pt纳米复合材料的方法 [P]. 
杨敏 ;
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[7]
一种高浓度钼掺杂三氧化钨光催化纳米材料及其制备方法 [P]. 
赵田 ;
董茗 ;
邹敏敏 ;
汤松凡 ;
宋丽娟 .
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[8]
一种微乳液制备纳米三氧化钨的方法 [P]. 
侯长军 ;
霍丹群 ;
唐一科 ;
刁显珍 ;
董亮 .
中国专利 :CN100417600C ,2007-03-07
[9]
纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P]. 
沈晓彦 ;
赵伟 ;
段晓菲 .
中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18
[10]
三氧化钨 [P]. 
相原俊明 ;
户屋广将 .
中国专利 :CN111372894A ,2020-07-03