一种硅纳米材料及其制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811506847.1

申请日：

2018-12-10

公开(公告)号：

CN111285375B

公开(公告)日：

2020-06-16

发明(设计)人：

杜红宾汪飞

申请人：

申请人地址：

210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

C01B33021

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297

代理人：

张铂

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/021 申请日:20181210
2020-06-16	公开	公开
2021-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多孔硅纳米材料及其制备方法和用途 [P].

杜红宾 ;

孙林 .

中国专利 :CN107539990A ,2018-01-05

[2]

一种纳米硅材料及其用途 [P].

杜红宾 ;

孙林 .

中国专利 :CN104577082B ,2015-04-29

[3]

纳米硅材料及其制备方法和应用 [P].

邓洁 ;

孙赛 ;

张丝雨 ;

董文芊 ;

蒋建忠 ;

凌杨栋 .

中国专利 :CN117963928A ,2024-05-03

[4]

一种硅基负极材料及其制备方法和用途 [P].

刘朗 ;

李冰 ;

梁世硕 .

中国专利 :CN112952059A ,2021-06-11

[5]

一种硅碳负极材料及其制备方法 [P].

姜福阳 ;

万文文 ;

王辉 ;

张辰 .

中国专利 :CN119275257A ,2025-01-07

[6]

一种硅碳负极材料及其制备方法 [P].

姜福阳 ;

万文文 ;

王辉 ;

张辰 .

中国专利 :CN119275257B ,2025-10-31

[7]

一种纳米硅负极材料及其制备方法 [P].

徐哲 ;

解惠东 ;

邵成蒙 .

中国专利 :CN115440942A ,2022-12-06

[8]

一种纳米硅负极材料及其制备方法 [P].

徐哲 ;

解惠东 ;

邵成蒙 .

中国专利 :CN115440942B ,2025-08-15

[9]

碳硅复合材料及其制备方法和用途 [P].

于作龙 ;

潘中来 ;

任玉荣 ;

邓正华 ;

瞿美臻 .

中国专利 :CN101604753A ,2009-12-16

[10]

一种卤素掺杂的碳硅纳米材料的制备方法及其应用 [P].

顾宏伟 .

中国专利 :CN105047894B ,2015-11-11

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