基于二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波衰减器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201620682283.7
申请日
2016-06-22
公开(公告)号
CN205691892U
公开(公告)日
2016-11-16
发明(设计)人
史叶欣
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
IPC主分类号
G02F101
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关 [P]. 
王昊卿 .
中国专利 :CN206178278U ,2017-05-17
[2]
锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器 [P]. 
章乐 ;
李九生 .
中国专利 :CN106654471B ,2017-05-10
[3]
二硫化钼条带结构可调太赫兹波功分器 [P]. 
吴爽 .
中国专利 :CN205691814U ,2016-11-16
[4]
二硫化钼薄膜条带结构可调太赫兹波滤波器 [P]. 
章乐 ;
李九生 .
中国专利 :CN106785254B ,2017-05-31
[5]
基于硫化钨薄膜结构可调太赫兹波滤波器 [P]. 
章乐 ;
李九生 .
中国专利 :CN106684511A ,2017-05-17
[6]
基于石墨烯薄膜结构太赫兹波耦合器 [P]. 
章乐 ;
李九生 .
中国专利 :CN106785292A ,2017-05-31
[7]
基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器 [P]. 
黄异 ;
钟宇杰 ;
钟舜聪 ;
林廷玲 ;
曾秋铭 .
中国专利 :CN216850342U ,2022-06-28
[8]
基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器及其方法 [P]. 
黄异 ;
钟宇杰 ;
钟舜聪 ;
林廷玲 ;
曾秋铭 .
中国专利 :CN114336088B ,2024-06-14
[9]
基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器及其方法 [P]. 
黄异 ;
钟宇杰 ;
钟舜聪 ;
林廷玲 ;
曾秋铭 .
中国专利 :CN114336088A ,2022-04-12
[10]
石墨烯三输出端口结构的可调太赫兹波耦合器 [P]. 
李九生 .
中国专利 :CN104485501A ,2015-04-01