一种大片层石墨烯与硅电极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810412023.1

申请日：

2018-04-24

公开(公告)号：

CN108428884A

公开(公告)日：

2018-08-21

发明(设计)人：

苗中正高子文

申请人：

申请人地址：

224000 江苏省盐城市希望大道南路2号盐城师范学院新长校区新能源学院

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M462 H01M100525

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20180424
2018-08-21	公开	公开
2022-01-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M 4/36 申请公布日:20180821

共 50 条

[1]

一种大片层石墨烯及其制备方法 [P].

智林杰 ;

苗中正 ;

李祥龙 .

中国专利 :CN107324319A ,2017-11-07

[2]

一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法 [P].

苗中正 ;

陈霁 .

中国专利 :CN108428883A ,2018-08-21

[3]

一种边缘功能化石墨烯的制备方法 [P].

苗中正 ;

田华雨 ;

李婧 .

中国专利 :CN109179393A ,2019-01-11

[4]

一种双层石墨烯插层化合物的制备方法 [P].

苗中正 .

中国专利 :CN108314025A ,2018-07-24

[5]

一种可分散的石墨烯插层化合物的制备方法 [P].

苗中正 .

中国专利 :CN108516540B ,2018-09-11

[6]

一种硅/褶皱石墨烯电极材料的制备方法 [P].

苗中正 ;

田华雨 ;

苗中明 .

中国专利 :CN109326785A ,2019-02-12

[7]

一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法 [P].

苗中正 ;

田华雨 ;

苗中明 .

中国专利 :CN109231195A ,2019-01-18

[8]

一种大片层氧化石墨烯及其制备方法 [P].

刘雨杭 ;

文友谊 ;

徐伟伟 ;

李博 .

中国专利 :CN115571874A ,2023-01-06

[9]

一种石墨烯电极材料的制备方法 [P].

常江 .

中国专利 :CN110706937A ,2020-01-17

[10]

硅与石墨烯复合电极材料及其制备方法 [P].

周明杰 ;

吴凤 ;

王要兵 .

中国专利 :CN103035890B ,2013-04-10

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