基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510026606.3

申请日：

2005-06-09

公开(公告)号：

CN1688035A

公开(公告)日：

2005-10-26

发明(设计)人：

周勇丁文曹莹陈吉安周志敏

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

G01R3309 G11B539 B81B702

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2005-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件 [P].

周勇 ;

丁文 ;

曹莹 ;

陈吉安 ;

周志敏 .

中国专利 :CN1694275A ,2005-11-09

[2]

基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法 [P].

周勇 ;

丁文 ;

曹莹 ;

陈吉安 ;

周志敏 .

中国专利 :CN1694276A ,2005-11-09

[3]

基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法 [P].

周勇 ;

丁文 ;

曹莹 ;

陈吉安 ;

周志敏 .

中国专利 :CN1688036A ,2005-10-26

[4]

集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器 [P].

周志敏 ;

周勇 ;

雷冲 ;

陈磊 ;

丁文 .

中国专利 :CN101975934B ,2011-02-16

[5]

基于微机电系统的力敏器件 [P].

周勇 ;

陈吉安 ;

丁文 ;

曹莹 ;

周志敏 .

中国专利 :CN1693864A ,2005-11-09

[6]

一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器 [P].

王三胜 ;

杨慧 .

中国专利 :CN201917649U ,2011-08-03

[7]

一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件 [P].

王三胜 ;

褚向华 .

中国专利 :CN102854479A ,2013-01-02

[8]

一种巨磁阻抗效应磁敏传感器及制备方法 [P].

黄东亚 ;

杨俊 ;

王跃平 ;

白师豪 .

中国专利 :CN108872889B ,2018-11-23

[9]

曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器 [P].

周志敏 ;

周勇 ;

陈磊 ;

雷冲 ;

丁文 .

中国专利 :CN101644748A ,2010-02-10

[10]

巨磁阻抗效应二维磁场传感器 [P].

周志敏 .

中国专利 :CN103033770A ,2013-04-10

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