电极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580073187.0

申请日：

2015-11-11

公开(公告)号：

CN107112143A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

帕特里克·格兰特黄淳

申请人：

申请人地址：

英国牛津郡

IPC主分类号：

H01G1128

IPC分类号：

H01G1186 H01M404 H01M4131 H01M4133 H01M4139 H01M436

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

顾丽波;井杰

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	授权	授权
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749370308 IPC(主分类):H01G 11/28 专利申请号:2015800731870 申请日:20151111

共 50 条

[1]

电极结构及其制造方法 [P].

约翰·D·阿菲尼托 ;

格雷戈里·K·洛 .

中国专利 :CN103947027A ,2014-07-23

[2]

电极结构及其制造方法 [P].

R·施密特 ;

H·佐默 ;

J·汤姆弗尔德 ;

A·潘琴科 ;

H·施奈德 ;

K·莱特纳 ;

C·斯考尔迪里斯-凯利 ;

T·凯利 ;

S·伯恩赛德 .

中国专利 :CN105190966B ,2015-12-23

[3]

电极结构及其制造方法 [P].

一之濑博文 ;

长谷部明男 ;

村上勉 ;

新仓谕 ;

上野雪绘 .

中国专利 :CN1127150C ,1998-06-17

[4]

电极结构及其制造方法 [P].

方伟权 .

中国专利 :CN120527163A ,2025-08-22

[5]

电极结构及其制造方法 [P].

陈文龙 ;

卢文龙 ;

曾榆钧 .

中国专利 :CN102270074A ,2011-12-07

[6]

电极结构体及其制造方法 [P].

堺勇树 ;

菅原绘美 .

中国专利 :CN107408699B ,2017-11-28

[7]

MEMS电极结构及其制造方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 .

中国专利 :CN109160486B ,2019-01-08

[8]

多孔电极及其制造方法 [P].

弗雷德里克·P·科伯 ;

奥斯卡·V·蒙蒂富斯科 .

中国专利 :CN1010633B ,1987-05-27

[9]

电极结构及其制造方法和包括电极结构的二次电池 [P].

郑熙树 ;

朴辉烈 ;

金敬焕 ;

孙精国 ;

李俊亨 ;

任成镇 ;

许晋硕 .

韩国专利 :CN111146403B ,2024-08-23

[10]

电极结构及其制造方法和包括电极结构的二次电池 [P].

郑熙树 ;

朴辉烈 ;

金敬焕 ;

孙精国 ;

李俊亨 ;

任成镇 ;

许晋硕 .

中国专利 :CN111146403A ,2020-05-12

← 1 2 3 4 5 →