SOI MOS晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210155009.0

申请日：

2012-05-17

公开(公告)号：

CN102683417A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

李莹毕津顺罗家俊韩郑生

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101713316517 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101550090 申请公布日:20120919
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346526910 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101550090 申请日:20120517

共 50 条

[1]

SOI MOS晶体管 [P].

李莹 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN102683416B ,2012-09-19

[2]

SOI MOS晶体管 [P].

李莹 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN102664189A ,2012-09-12

[3]

一种SOI体接触MOS晶体管 [P].

刘小年 ;

郑之伟 .

中国专利 :CN221727121U ,2024-09-17

[4]

MOS晶体管 [P].

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN207217541U ,2018-04-10

[5]

MOS晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN206003781U ,2017-03-08

[6]

MOS晶体管 [P].

郑仲馗 ;

尹彬锋 .

中国专利 :CN114334954A ,2022-04-12

[7]

MOS晶体管 [P].

霍介光 ;

赵立新 .

中国专利 :CN202405265U ,2012-08-29

[8]

MOS晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN206003780U ,2017-03-08

[9]

MOS晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN206003778U ,2017-03-08

[10]

MOS晶体管 [P].

徐丽蓓 ;

李小江 .

中国专利 :CN214956839U ,2021-11-30

← 1 2 3 4 5 →