单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02155236.3

申请日：

2002-12-10

公开(公告)号：

CN1507075A

公开(公告)日：

2004-06-23

发明(设计)人：

莫春东李仲明张瑶何少琪李海滨

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区花园路3号

IPC主分类号：

H01L310236

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

徐宁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-02-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101392925040 IPC(主分类):H01L 31/0236 专利号:ZL021552363 申请日:20021210 授权公告日:20080514 终止日期:20111210
2008-05-14	授权	授权
2004-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅太阳能电池及其制作方法 [P].

杨瑞鹏 ;

张开军 ;

付建明 ;

温显 .

中国专利 :CN103107237A ,2013-05-15

[2]

单晶硅太阳能电池及其制作方法 [P].

杨瑞鹏 ;

张开军 ;

付建明 ;

温显 .

中国专利 :CN103107233B ,2013-05-15

[3]

单晶硅太阳能电池及其制作方法 [P].

杨瑞鹏 ;

张开军 ;

付建明 ;

温显 .

中国专利 :CN103107238B ,2013-05-15

[4]

新单晶硅太阳能电池制作方法 [P].

张衡 .

中国专利 :CN102315327B ,2012-01-11

[5]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101286537B ,2008-10-15

[6]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101174658A ,2008-05-07

[7]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

古屋昌浩 ;

川合信 ;

田中好一 ;

久保田芳宏 ;

飞坂优二 .

中国专利 :CN101174595B ,2008-05-07

[8]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101174596A ,2008-05-07

[9]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101262029A ,2008-09-10

[10]

单晶硅太阳能电池 [P].

曾宏 ;

林国勇 .

中国专利 :CN102956724A ,2013-03-06

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