半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510469273.5

申请日：

2015-08-04

公开(公告)号：

CN106158008B

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

木原雄治

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

G11C114063

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王珊珊

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	公开	公开
2019-07-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/4063 登记生效日:20190624 变更事项:专利权人变更前权利人:力晶科技股份有限公司变更后权利人:力晶积成电子制造股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹科学工业园区变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区
2019-06-28	授权	授权
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692520896 IPC(主分类):G11C 11/4063 专利申请号:2015104692735 申请日:20150804

共 50 条

[1]

半导体存储装置 [P].

内海哲章 .

中国专利 :CN113436666A ,2021-09-24

[2]

半导体存储装置 [P].

池田圭司 ;

田中千加 .

中国专利 :CN110310687A ,2019-10-08

[3]

半导体存储装置 [P].

饭田真久 .

中国专利 :CN101169968A ,2008-04-30

[4]

半导体存储装置 [P].

谷本亮 ;

铃谷信人 ;

神山洋平 ;

太田邦夫 .

中国专利 :CN105990259A ,2016-10-05

[5]

半导体存储装置 [P].

武田晃一 .

中国专利 :CN1875428A ,2006-12-06

[6]

半导体存储装置 [P].

渡边胜好 ;

中村三昌 ;

松浦永悟 .

中国专利 :CN105990369A ,2016-10-05

[7]

半导体存储装置 [P].

内海哲章 .

日本专利 :CN113436666B ,2024-01-02

[8]

半导体存储装置 [P].

和田政春 .

中国专利 :CN115132248A ,2022-09-30

[9]

半导体存储装置 [P].

松原靖 ;

石冈浩 .

中国专利 :CN1209630A ,1999-03-03

[10]

半导体存储装置和用于控制半导体存储装置的方法 [P].

铃木彬史 ;

常广隆司 .

中国专利 :CN103392208A ,2013-11-13

← 1 2 3 4 5 →