多孔二氧化硅粒子

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010466784.2

申请日：

2020-05-28

公开(公告)号：

CN112010315A

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

J·E·P·霍格布鲁姆 P·L·吉隆德 B·S·佩尔松

申请人：

申请人地址：

荷兰阿纳姆

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

C01B33146 C01B3316 B01D1520

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王丹丹;刘金辉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	公开	公开
2022-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/12 申请日:20200528

共 50 条

[1]

多孔二氧化硅粒子 [P].

A·J·菲尼曼 ;

J·E·P·霍格布鲁姆 ;

N·A·J·M·索默迪克 ;

H·弗里德里希 .

中国专利 :CN112010319A ,2020-12-01

[2]

多孔二氧化硅粒子 [P].

A·J·菲尼曼 ;

J·E·P·霍格布鲁姆 ;

N·A·J·M·索默迪克 ;

H·弗里德里希 .

:CN112010319B ,2024-06-14

[3]

内包于多孔二氧化硅的粒子的制备方法以及多孔二氧化硅和内包于多孔二氧化硅的粒子 [P].

渡边洋人 ;

今井宏明 ;

绪明佑哉 .

中国专利 :CN103889898A ,2014-06-25

[4]

二氧化硅粒子 [P].

銭谷优香 ;

竹内栄 ;

佐佐木孝治 ;

恵利祥史 ;

持田麻衣 .

中国专利 :CN115124046A ,2022-09-30

[5]

多孔二氧化硅 [P].

张士福 ;

杨运信 ;

张丽斌 ;

宋朝红 ;

姚喆 ;

查晓钟 ;

秦群英 .

中国专利 :CN101885488B ,2010-11-17

[6]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[7]

二氧化硅粒子 [P].

西村仁希 ;

小野勇二 ;

芝崎将一 .

中国专利 :CN110461768B ,2019-11-15

[8]

多孔二氧化硅粉末 [P].

小林宏资 ;

藤村耕治 ;

中野干太 .

中国专利 :CN104583771B ,2015-04-29

[9]

二氧化硅粒子 [P].

I·M·马金诺恩 ;

D·M·布彻尔 .

中国专利 :CN1209149A ,1999-02-24

[10]

多孔二氧化硅粒子及其制造方法 [P].

江上美纪 ;

宫本卓儿 ;

村口良 .

中国专利 :CN111527047A ,2020-08-11

← 1 2 3 4 5 →