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一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010669559.9
申请日
:
2020-07-13
公开(公告)号
:
CN112030223B
公开(公告)日
:
2020-12-04
发明(设计)人
:
武晨洁
张培林
武建军
柴利春
张作文
王志辉
申请人
:
申请人地址
:
037002 山西省大同市新荣区花园屯村
IPC主分类号
:
C30B1510
IPC分类号
:
C30B1512
C30B2906
代理机构
:
太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119
代理人
:
杨凯;连慧敏
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-04
公开
公开
2020-12-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20200713
2021-11-30
授权
授权
共 50 条
[1]
一种直拉单晶炉热场用石墨坩埚
[P].
姜舰
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姜舰
;
秦瑞锋
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秦瑞锋
;
戴小林
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戴小林
;
崔彬
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崔彬
;
王雅楠
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王雅楠
;
吴志强
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吴志强
.
中国专利
:CN109898134A
,2019-06-18
[2]
一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚
[P].
武建军
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武建军
;
张培林
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张培林
;
柴利春
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柴利春
;
张作文
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张作文
;
王志辉
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王志辉
.
中国专利
:CN111996585A
,2020-11-27
[3]
一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置
[P].
王庆辉
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王庆辉
;
王忠亮
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王忠亮
;
王皓田
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王皓田
.
中国专利
:CN115595654A
,2023-01-13
[4]
一种单晶炉半导体石墨坩埚提升装置
[P].
陈永贵
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陈永贵
;
张培林
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张培林
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武建军
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武建军
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柴利春
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柴利春
;
张作文
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张作文
;
王志辉
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王志辉
.
中国专利
:CN111996584A
,2020-11-27
[5]
一种提高单晶炉热场坩埚使用寿命的方法及直拉单晶炉
[P].
周俭
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周俭
.
中国专利
:CN102041550A
,2011-05-04
[6]
一种单晶炉的石墨热场
[P].
方汉春
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方汉春
.
中国专利
:CN201567389U
,2010-09-01
[7]
一种单晶炉热场
[P].
尚繁
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尚繁
;
司佳勇
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司佳勇
;
周浩
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周浩
;
郭凯
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郭凯
.
中国专利
:CN205205271U
,2016-05-04
[8]
一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚及其使用方法
[P].
武晨洁
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武晨洁
;
张培林
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张培林
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武建军
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武建军
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柴利春
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柴利春
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张作文
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张作文
;
王志辉
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王志辉
.
中国专利
:CN111962142A
,2020-11-20
[9]
单晶炉热场及其控制方法和单晶炉
[P].
李立峰
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李立峰
;
曹森
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曹森
;
陈小龙
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陈小龙
;
李小东
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李小东
;
巴剑锋
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巴剑锋
;
陈朝霞
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陈朝霞
.
中国专利
:CN112391676A
,2021-02-23
[10]
一种筒式单晶炉的半导体石墨热场
[P].
武建军
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武建军
;
张培林
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张培林
;
柴利春
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柴利春
;
张作文
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张作文
;
王志辉
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王志辉
.
中国专利
:CN111996586A
,2020-11-27
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