纳米二氧化钛薄膜及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01141981.4

申请日：

2001-09-26

公开(公告)号：

CN1209824C

公开(公告)日：

2003-04-16

发明(设计)人：

万发荣龙毅

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L3118 H01L2128

代理机构：

北京科大华谊专利代理事务所

代理人：

刘月娥

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-04-16	公开	公开
2005-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

方侃 .

中国专利 :CN100411739C ,2005-09-07

[2]

一种纳米二氧化钛改性薄膜及纳米二氧化钛薄膜的梯度掺杂改性方法 [P].

李芳 ;

赵楠 ;

姚明明 ;

曲彦臻 .

中国专利 :CN102407105B ,2012-04-11

[3]

二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜 [P].

邓辉 .

中国专利 :CN110499497B ,2019-11-26

[4]

纳米二氧化钛的制造方法 [P].

蒋祉刚 ;

张曙光 ;

李永刚 .

中国专利 :CN1156403C ,2001-08-15

[5]

纳米二氧化钛的制造方法 [P].

程黎放 ;

张怡 ;

储昭琴 ;

田兴友 ;

胡智学 ;

张立德 .

中国专利 :CN1044463C ,1997-04-09

[6]

纳米二氧化钛 [P].

高艺玮 ;

张巧云 ;

杨爱民 ;

郭春意 ;

张莹 ;

魏利兵 .

中国专利 :CN115304098B ,2024-06-21

[7]

纳米二氧化钛 [P].

高艺玮 ;

张巧云 ;

杨爱民 ;

郭春意 ;

张莹 ;

魏利兵 .

中国专利 :CN115304098A ,2022-11-08

[8]

金属钛表面制备二氧化钛薄膜的方法及其制备的表面覆盖二氧化钛薄膜的钛板 [P].

吴进明 ;

甘澍霆 ;

甘宪 .

中国专利 :CN1544684A ,2004-11-10

[9]

层层自组装法制备纳米二氧化钛薄膜的方法 [P].

施鹰 ;

曾智勇 ;

谢建军 ;

雷芳 ;

章蕾 .

中国专利 :CN105669187A ,2016-06-15

[10]

纳米二氧化钛光催化薄膜、制备及其应用 [P].

余济美 ;

林隽 .

中国专利 :CN1493395A ,2004-05-05

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