一种二维多孔少层g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010840805.2

申请日：

2020-08-20

公开(公告)号：

CN112023968A

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

李鑫王会琴蒋浩鹏高明朱志马长畅霍鹏伟

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

C01B3240 C07C102 C07C904 C01B21082 B01J3510

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	公开	公开
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/24 申请日:20200820

共 50 条

[1]

一种含氧g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法和应用 [P].

黄鹏儒 ;

张颖 ;

黄强 ;

孙志海 ;

彭乐宇 ;

李子源 ;

徐芬 ;

孙立贤 .

中国专利 :CN112958141A ,2021-06-15

[2]

一种g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法 [P].

周忠福 ;

叶嘉明 ;

薄文 ;

秦兴然 ;

陈绍东 .

中国专利 :CN113786854A ,2021-12-14

[3]

一种二维ZnO/g-C3N4复合光催化剂的制备方法及用途 [P].

沈东 ;

程雨龙 ;

李洪达 ;

刘淳 ;

周亚举 ;

孙林林 ;

李鑫 ;

霍鹏伟 ;

王会琴 .

中国专利 :CN110252370A ,2019-09-20

[4]

一种多孔g-C3N4光催化剂的制备方法 [P].

杨臣 ;

杨剑 ;

焦庆瑞 ;

胡广 ;

刘兰 ;

段序 ;

刘清才 ;

任山 ;

黎江玲 ;

孔明 .

中国专利 :CN110902662A ,2020-03-24

[5]

SnS2/g-C3N4复合纳米片光催化剂及制备方法 [P].

张振翼 ;

董斌 ;

黄金斗 ;

苑青 .

中国专利 :CN103934012A ,2014-07-23

[6]

一种二维薄层Au/g-C3N4复合光催化剂的制备方法及用途 [P].

李鑫 ;

刘重阳 ;

吴东遥 ;

周亚举 ;

李金择 ;

马长畅 ;

霍鹏伟 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN109225303A ,2019-01-18

[7]

一种多孔g-C3N4纳米片光催化剂及其制备方法和应用 [P].

韩宇 ;

郭强 ;

韩晓鹏 ;

范晓星 ;

王继伟 .

中国专利 :CN106423244B ,2017-02-22

[8]

一种CdS/g-C3N4双纳米片复合光催化剂的制备方法 [P].

张金龙 ;

雷菊英 ;

江振颖 ;

刘勇弟 ;

王灵芝 ;

郑家豪 ;

张嘉宽 ;

姜森 .

中国专利 :CN109126854A ,2019-01-04

[9]

一种具有缺陷g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法 [P].

邢伟男 ;

张亭亭 ;

邹景卉 ;

张玉婧 ;

熊若帆 ;

徐洲洲 ;

肖雅楠 ;

贺伟 ;

吴光瑜 ;

韩建刚 ;

李萍萍 .

中国专利 :CN112246272A ,2021-01-22

[10]

二维RuNi/g-C3N4复合光催化剂及其制备方法和应用 [P].

刘纪昌 ;

韩鑫 ;

刘巧娜 ;

司徒曹权 ;

濮鑫 ;

颜培坤 ;

沈本贤 ;

凌昊 ;

赵基钢 ;

孙辉 ;

张辰宇 ;

陈启航 ;

陈馨钰 .

中国专利 :CN113398971B ,2021-09-17

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