稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610135391.3

申请日：

2006-12-27

公开(公告)号：

CN101209901A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

陈大钦王元生余运龙马恩

申请人：

申请人地址：

350002福建省福州市杨桥西路155号

IPC主分类号：

C03C1000

IPC分类号：

C03C3095 C03B3202

代理机构：

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法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	公开	公开
2011-11-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101207915688 IPC(主分类):C03C 10/00 专利申请号:2006101353913 公开日:20080702
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氧化锌量子点敏化的稀土掺杂玻璃陶瓷及其溶胶－凝胶制备方法 [P].

余运龙 ;

王元生 ;

陈大钦 ;

黄萍 .

中国专利 :CN101376566A ,2009-03-04

[2]

含镉荧光半导体量子点的制备方法 [P].

朱明强 ;

刘金华 ;

樊俊兵 ;

徐晓波 .

中国专利 :CN101245247B ,2008-08-20

[3]

一种量子点与稀土掺杂的微晶玻璃及其制备方法 [P].

王祥夫 ;

王业民 ;

步妍妍 ;

笪海霞 ;

颜晓红 .

中国专利 :CN108863083B ,2018-11-23

[4]

一种半导体量子点异质结材料及其制备方法 [P].

张立瑶 .

中国专利 :CN111883602B ,2020-11-03

[5]

银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法 [P].

杜玲 ;

茅惠兵 ;

王基庆 .

中国专利 :CN103805200A ,2014-05-21

[6]

一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法 [P].

王廷云 ;

潘香萍 ;

董艳华 ;

文建湘 ;

陈秀秀 ;

黄怿 ;

张小贝 .

中国专利 :CN113568244A ,2021-10-29

[7]

低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法 [P].

贺蓉 ;

古宏晨 .

中国专利 :CN1553476A ,2004-12-08

[8]

硫化镉半导体量子点的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986726A ,2007-06-27

[9]

制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法 [P].

程萍 ;

蓝天 ;

余家龙 ;

王俊飞 ;

陈瑞昊 ;

郭守武 .

中国专利 :CN101913600A ,2010-12-15

[10]

稀土掺杂的透明氟氧化物玻璃陶瓷及其制备方法 [P].

樊先平 ;

乔旭升 ;

王智宇 ;

钱国栋 ;

洪樟连 ;

邱建荣 ;

王民权 .

中国专利 :CN100389086C ,2005-11-09

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