半导体结构及其制备方法、三维存储器

被引：0

申请号：

CN202111632484.8

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114361170A

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

刘沙沙毛晓明李思晢黄文龙霍宗亮

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

H01L2711548 H01L2711556 H01L271157 H01L2711575 H01L2711582 H01L2518

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	公开	公开
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20211228

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘文静 ;

袁伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN114678376A ,2022-06-28

[2]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

吴双双 ;

刘志斌 ;

张中 ;

王迪 .

中国专利 :CN119923961A ,2025-05-02

[3]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘沙沙 ;

毛晓明 ;

李思晢 ;

黄文龙 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN114361170B ,2025-12-05

[4]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

王均保 ;

李楷威 ;

王鹤林 ;

贾建权 ;

游开开 ;

崔佳萌 ;

张安 .

中国专利 :CN114497061A ,2022-05-13

[5]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

曹开俊 ;

张文博 ;

彭盛 ;

陆智勇 ;

余凯 ;

程朝晖 ;

李张宜 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119835941A ,2025-04-15

[6]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

王迪 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN114551344A ,2022-05-27

[7]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘思敏 ;

徐伟 ;

袁彬 ;

许波 ;

郭亚丽 ;

薛磊 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN118159026A ,2024-06-07

[8]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

贾信磊 ;

韩佳茵 ;

张安 ;

靳磊 .

中国专利 :CN119342805A ,2025-01-21

[9]

半导体结构及其制备方法、三维存储器及其制备方法 [P].

王超 ;

孙明琛 ;

饶少凯 ;

田仁杰 .

中国专利 :CN119730240A ,2025-03-28

[10]

半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统 [P].

顾妍 ;

王迪 ;

周文犀 .

中国专利 :CN114664853A ,2022-06-24

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