一种总剂量效应检测电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910188748.1

申请日：

2019-03-13

公开(公告)号：

CN109917271A

公开(公告)日：

2019-06-21

发明(设计)人：

罗萍凌荣勋周枭蒋鹏凯吴昱操肖皓洋李博王强甄少伟

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

G01R3128

IPC分类号：

G01R31307

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/28 申请日:20190313
2021-04-02	授权	授权
2019-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

抗总剂量效应存储单元电路 [P].

桑红石 ;

王文 ;

张天序 ;

梁巢兵 ;

张静 ;

谢扬 ;

袁雅婧 .

中国专利 :CN103489477A ,2014-01-01

[2]

一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路 [P].

郭仲杰 ;

卢沪 ;

刘楠 ;

曹喜涛 ;

刘申 ;

邱子忆 ;

李梦丽 .

中国专利 :CN114441920B ,2025-05-30

[3]

一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路 [P].

郭仲杰 ;

卢沪 ;

刘楠 ;

曹喜涛 ;

刘申 ;

邱子忆 ;

李梦丽 .

中国专利 :CN114441920A ,2022-05-06

[4]

一种基于接口的电路级总剂量效应仿真方法 [P].

吕红亮 ;

姚如雪 ;

张育涛 ;

乔晶 ;

张玉明 .

中国专利 :CN117688880A ,2024-03-12

[5]

一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法 [P].

王泉 ;

刘太彬 ;

刘锦辉 ;

李静月 ;

刘刚 .

中国专利 :CN106649920A ,2017-05-10

[6]

一种适用于FDSOI器件总剂量效应的加固电路 [P].

刘红侠 ;

高田芝 ;

刘昌 ;

王树龙 ;

陈树鹏 .

中国专利 :CN118366969A ,2024-07-19

[7]

一种抗总剂量效应的LDMOS器件 [P].

廖永波 ;

徐博洋 ;

李平 ;

黄德 ;

刘承鹏 ;

刘涛 .

中国专利 :CN110137248A ,2019-08-16

[8]

抗总剂量效应的MOS场效应管 [P].

刘淼 ;

康晓峰 .

中国专利 :CN109585531A ,2019-04-05

[9]

一种总剂量效应的探测方法及装置 [P].

邵翠萍 ;

李慧云 .

中国专利 :CN107144776B ,2017-09-08

[10]

一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法 [P].

戴茜茜 ;

毕津顺 ;

李梅 ;

刘明 ;

李博 ;

习凯 .

中国专利 :CN109119110B ,2019-01-01

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