一种抗氧化聚吡咯导电材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810353162.1

申请日：

2018-04-19

公开(公告)号：

CN108409963A

公开(公告)日：

2018-08-17

发明(设计)人：

杨阳张宇

申请人：

申请人地址：

215400 江苏省苏州市太仓市科教新城健雄路20号

IPC主分类号：

C08G7306

IPC分类号：

C08K904 C08K304

代理机构：

常州市权航专利代理有限公司 32280

代理人：

袁兴隆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-17	公开	公开
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 73/06 申请日:20180419
2020-11-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08G 73/06 申请公布日:20180817

共 50 条

[1]

一种抗氧化聚吡咯导电材料 [P].

杨阳 ;

张宇 .

中国专利 :CN108395533A ,2018-08-14

[2]

一种石墨烯酰胺分散液及其在抗氧化聚吡咯导电材料中的应用 [P].

杨阳 ;

张宇 .

中国专利 :CN108395576A ,2018-08-14

[3]

聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法 [P].

孙万虹 ;

孟淑娟 ;

臧荣鑫 ;

李海玲 ;

林华典 .

中国专利 :CN103012791A ,2013-04-03

[4]

一种聚吡咯导电材料的制备方法 [P].

许美凤 .

中国专利 :CN108250437A ,2018-07-06

[5]

一种离子液体改性聚吡咯导电材料 [P].

王一旭 .

中国专利 :CN108182984B ,2018-06-19

[6]

一种磷化掺杂耐热聚吡咯导电材料的制备方法 [P].

杨阳 ;

张宇 .

中国专利 :CN108409962A ,2018-08-17

[7]

一种双氧化法制备导电聚吡咯的方法 [P].

熊兆贤 ;

叶何兰 ;

陈淑娴 ;

肖小朋 ;

陈拉 ;

张国锋 .

中国专利 :CN102675633A ,2012-09-19

[8]

一种聚吡咯磁导电复合材料的制备方法 [P].

张娟 .

中国专利 :CN107200844A ,2017-09-26

[9]

一种氧化石墨烯/导电聚吡咯纳米线复合材料的制备方法 [P].

李靖 ;

谢华清 .

中国专利 :CN102800432A ,2012-11-28

[10]

一种聚吡咯导电材料及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108424644A ,2018-08-21

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